IGBT 11NEC063T42

Описание и технические характеристики IGBT 11NEC063T42

IGBT 11NEC063T42 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT) от STMicroelectronics, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Основные характеристики:

✔ Тип: IGBT + диод (NPT, Trench-Gate)
✔ Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
✔ Ток коллектора (I_C): 11 А (при 25°C)
✔ Мощность рассеивания (P_tot): 48 Вт
✔ Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (при I_C = 11 А)
✔ Время включения (t_on): 30 нс
✔ Время выключения (t_off): 160 нс
✔ Корпус: TO-252 (DPAK)
✔ Диапазон температур: -40°C до +150°C
✔ Интегрированный обратный диод: Да (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от STMicroelectronics:

• STGW11NC60KD (аналог с близкими параметрами)
• STGP11NC60KD (альтернатива в другом корпусе)

Аналоги от других производителей:

• IRGB11B60KDPBF (Infineon)
• FGA11N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG11N60C3D (Microsemi)

Совместимые модели для замены (по напряжению и току):

• IKW11N60T (Infineon, 600 В, 11 А)
• FGH11N60SFD (ON Semiconductor, 600 В, 11 А)
• SGH11N60UFD (Fairchild, 600 В, 11 А)

Применение:

🔹 Импульсные блоки питания (SMPS)
🔹 Инверторы и частотные преобразователи
🔹 Системы управления двигателями
🔹 Сварочное оборудование
🔹 Солнечные инверторы

Если требуется более точный подбор аналога, важно учитывать рабочие условия (частота, температура, нагрузка).