IGBT 11NEC063IT10

Описание и технические характеристики IGBT 11NEC063IT10

Описание:
IGBT 11NEC063IT10 – это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) производства NEC (Renesas Electronics), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент используется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 11 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 22 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 60 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 11 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 100 нс |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

• Прямые аналоги:

  • 11NEC063IT10 (оригинал NEC/Renesas)
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)
  • FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG11N60A4D (Microsemi/Littelfuse)
  • STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

• Совместимые модели (сходные параметры):

  • IRG4BC30KD (600V, 14A)
  • FGH40N60SMD (600V, 40A, но в другом корпусе)
  • IXGH40N60B3D1 (600V, 40A)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и рабочие условия конкретной схемы.