IGBT 11NAB12T4V1

Описание IGBT 11NAB12T4V1

IGBT 11NAB12T4V1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Модуль имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) и высокую скорость переключения, что обеспечивает высокую энергоэффективность и снижение тепловыделения.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (N-канальный) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 11 A (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 22 A |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 11 A) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт (при 25°C) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 2.5 °C/Вт |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели и замены:

• Infineon: IKW15N120T2, IKW20N120T2
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• ON Semiconductor: FGH40N60SFD

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• 11NAB12T4V1 (оригинал)
• 11N120B12T4
• 11NAB1200V

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (такие как графики вольт-амперных характеристик или данные по корпусу), уточните запрос.