IGBT 00A-1MI100H-025

Описание и технические характеристики IGBT модуля 00A-1MI100H-025

Тип: IGBT-модуль (с диодом обратного хода)
Назначение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и импульсных источниках питания.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | Стандартный модуль (обычно TO-247 или аналогичный) |
| Встроенный диод (FRD) | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: IHW20N120R3, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (аналогичные по характеристикам):

• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG
• Toshiba: MG100Q2YS40

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для солнечных электростанций

Если вам нужны дополнительные параметры (например, электрическая схема подключения или тепловые характеристики), уточните запрос.