IGBT 00A-1MI100H-025

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 00A-1MI100H-025
Описание и технические характеристики IGBT модуля 00A-1MI100H-025
Тип: IGBT-модуль (с диодом обратного хода)
Назначение: Управление мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и импульсных источниках питания.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------------------------|------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1000 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 100 А |
| Макс. импульсный ток (ICP) | 200 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 120 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | Стандартный модуль (обычно TO-247 или аналогичный) |
| Встроенный диод (FRD) | Да (Fast Recovery Diode) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (замены):
- Infineon: IHW20N120R3, IKW40N120H3
- Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50
- Mitsubishi: CM100DY-24H
- SEMIKRON: SKM100GB12T4
Совместимые модели (аналогичные по характеристикам):
- STMicroelectronics: STGW40H120DF2
- ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG
- Toshiba: MG100Q2YS40
Применение:
- Промышленные частотные преобразователи
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Инверторы для солнечных электростанций
Если вам нужны дополнительные параметры (например, электрическая схема подключения или тепловые характеристики), уточните запрос.