Toshiba 2SK2376 — N-канальный MOSFET

Описание

2SK2376 — N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором, выпускаемый компанией Toshiba. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах управления нагрузкой и драйверах. Транзистор выполнен по планарной технологии с обогащённым каналом (enhancement mode) и рассчитан на работу при высоких напряжениях сток-исток.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (enhancement mode) | | Напряжение сток-исток (V_DS) | 500 В (макс.) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Ток стока (I_D) | 5 А (постоянный) | | Импульсный ток стока (I_DM) | от 15 до 20 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1,5 Ом (типично, при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2,0–4,0 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт (при T_C = 25 °C) | | Входная ёмкость (C_iss) | ~700 пФ | | Крутизна (g_fs) | ~2,5 См | | Рабочая температура | от -55 до +150 °C | | Корпус | TO-220 (или TO-220F в изолированном варианте) |

Примечание: Точные значения конкретной серии могут незначительно отличаться в зависимости от даташита производителя и года выпуска. Рекомендую сверяться с официальным datasheet Toshiba для конкретной ревизии.

Парт-номера и маркировка

• 2SK2376 — базовый парт-номер (Toshiba)
• 2SK2376(Q) — вариант в корпусе TO-220
• 2SK2376-01 / с суффиксами -R, -T (упаковка: лента/рулон)
• Маркировка на корпусе: K2376 (логотип Toshiba + K2376)

Точные артикулы упаковки (лента 2000 шт., туба 50 шт.) зависят от дистрибьютора и года выпуска. Перед заказом уточняйте у поставщика (Mouser, DigiKey, RS Components) по полному наименованию включая суффикс упаковки.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые/близкие аналоги Toshiba:

• 2SK1118, 2SK1119, 2SK1358, 2SK1508, 2SK540, 2SK1697
• 2SK2485, 2SK2605 (семейство сimilar R_ds(on) и V_DS)

Замены от других производителей (близкие по параметрам 500 В / ~5 А / TO-220):

• IRF820, IRF830 (IR / Infineon) — хотя напряжение/ток выше
• STP4NK50, STP5NK50 (STMicroelectronics)
• FQP4N50, FQP5N50 (Fairchild / ON Semiconductor)
• 2N60, 4N60/5N60-серии с V_DSS = 600 В, требуют проверки R_DS(on)
• AP4N50, AP5N50 (Diodes Inc.)

Совместимые схемные применения:

• Импульсные БП (SMPS) мощностью до ~100 Вт
• Обратноходовые и повышающие преобразователи
• Драйверы реле, соленоидов, ламп
• PFC-корректоры малой мощности
• Схемы управления подсветкой (LED drivers)

Важные замечания

1. Перед заменой обязательно сравнивайте V_GS(th), R_DS(on) и C_iss — от них зависят потери и стабильность работы схемы.
2. Для точного подбора в конкретной схеме сверяйтесь с оригинальным Toshiba datasheet (документ для 2SK2376 с таблицами «Electrical Characteristics»).
3. Убедитесь в правильности корпуса и вариант изоляции (G/F) перед покупкой.

Если нужно — могу подготовить сравнительную таблицу с конкретными моделями-аналогами по отдельным параметрам (порог, R_DS(on), ёмкость, цена/доступность).