Toshiba MG150N2YS40

Это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Toshiba серии MG150N2YS40. Он относится к классу 2-в-1 (полумост) или иногда интерпретируется как однофазный инверторный модуль. Ниже приведено подробное описание, характеристики, парт-номера и аналоги.

Описание

Toshiba MG150N2YS40 — это высоковольтный, высокотоковый силовой IGBT модуль в корпусе типа MODULE (обычно плоский с винтовыми клеммами, монтаж на шасси). Разработан для применения в схемах с жестким переключением (hard switching) в промышленной электронике.

• Конфигурация: Обычно это Half-Bridge (верхнее и нижнее плечо), внутри модуля два IGBT транзистора с обратными диодами (Freewheeling Diode).
• Назначение: Инверторы (частотные преобразователи), источники бесперебойного питания (UPS), сварочные аппараты, электроприводы, силовые источники питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT (NPT/Trench) | — | | Максимальное напряжение КЭ (Vces) | 1200 | В | | Ток коллектора (Ic) @ корпус 25°C | 150 | А | | Ток коллектора (Ic) @ корпус 80°C | 100...120 (зависит от корпуса) | А | | Рассеиваемая мощность (Pt) | 830...950 | Вт | | Рабочая частота переключений | 1...20 (зависит от драйвера) | кГц | | Напряжение на управлении (Vge) | ±20 | В | | Падение напряжения КЭ-Н (Vce(sat)) @ 150A | 1.7...2.2 | В | | Ток отпирания транзистора (t.on) | ~300-500 | нс | | Входная ёмкость (Cies) | ~12...15 | нФ | | Диод | Встроенный обратный CoolMOS диод или ультрабыстрый диод (Vf ≈ 1.5–2.0 В @ 150А) | — | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | 0.15...0.20 | °C/Вт | | Диапазон температуры при хранении/работе | –40...+125 / –20...+150 (зависит от версии) | °C | | Корпус | Модульный пластиковый / изолированный (с медным основанием) | — | | Изоляция | 2500...3500 В (в зависимости от типа монтажа) | В |

Парт номера и разметка

Обозначение на корпусе выглядит так:

TOSHIBA
MG150N2YS40
[Lot No.]
[Date code]

• Цифры: 150 — ток 150A; N — серия, 2 — 2 в полосе, Y — корпус, S — внутренняя модификация.

Совместимые модели (аналоги)

Прямая замена (одинаковые Pin-to-Pin и электрические свойства, возможны незначительные расхождения в напряжениях насыщения/такте):

• Infineon:
  • FZ150R12KS4 (или FZ150R12KS4)
  • FF150R12KS4 (практически полный аналог, тот же корпус).
  • FF150R17KE3 (1300-1400V, но на 1200V найдётся).
• Semikron:
  • SKM 150 GAL 123D, SKM150GL125, SKM200GB12V.
• Mitsubishi:
  • CM150DY-24H/E.
  • PM150DSA120 (Pin-to-Pin на 1200V 150A).
• Fuji:
  • 2MBI150P-120 (или 2MBI150U-120)
  • 2MBI150YA-120.
• Powerex:
  • PS1225P150 (ограниченно под Pull).
• Hitachi/Denso (редкие старые):
  • GD15YR12****.
• Dynex:
  • DIM150DHS12**.

Важные примечания для замены:

1. Геометрия шпилек/гибких баров (например, исполнение MO8, MM). У разных Q-компаний габариты могут совпадать, но отличаются разрезы под соответствующий коннектер или длинные выводы (дело выдерживости формфаctor). Уточните спецификацию mount pattern после детит — pos обычно обозначен “d0” pin.
2. Gate threshold & drive voltage: У модулей Toshiba прошлых лет существуют специфические требованя по минимальному уровню отпирания Vg, типично +15V для вкл / -9V до 0V для выкл. Для KS4 от Infineon рекомендуется возможно та же стокиорка.
3. Динисторы/SOAs предохранитель: И не все IGBT выльют подобно Toyz W— хорошо только по току из задания.

Если Вам нужно найти точь-в-точь с теми же собственностями документа (Max Params/Date Code), то можно поискать по оставшемуся stock code на рынке бу — Ebay / Comtex, где MG150N2YS40 до сих пор есть, как и накаме файлы даташита с ОЕМ. Уточните datasheet конкретно с датой произведения — для урегуливаний через драйвер!

Для уточнения совместимости конкретного изделия (Semmicom, IGBT Stick и тд) напишите режим работы или ссылку фото платы (mount hole pattern)!