Semiconductor 2N5345

Semiconductor 2N5345
Артикул: 1664452

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N5345

2N5345 — Полупроводниковый прибор (кремниевый транзистор)

Описание

2N5345 — это кремниевый NPN-транзистор средней/большой мощности, предназначенный для применения в усилителях мощности, импульсных схемах и схемах коммутации. Прибор выполнен по планарной технологии и обеспечивает высокую надёжность и стабильность характеристик.

Транзистор выпускается в металлическом корпусе TO-3 (TO-204AA), что обеспечивает хороший отвод тепла и возможность работы с повышенными токами коллектора.

Основное применение:

  • Усилители мощности звуковой частоты (AF)
  • Импульсные источники питания
  • Схемы коммутации и управления реле, лампами, двигателями
  • Линейные усилители
  • Стабилизаторы напряжения

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | NPN кремниевый биполярный транзистор | | Корпус | TO-3 (TO-204AA), металлический | | Максимальное напряжение коллектор–эмиттер (VCEO) | 60 В | | Максимальное напряжение коллектор–база (VCBO) | 80 В | | Максимальное напряжение эмиттер–база (VEBO) | 5 В | | Максимальный ток коллектора (IC) | 10 А (импульсный до 15 А) | | Рассеиваемая мощность (PC) при TC = 25 °C | 100 Вт | | Коэффициент усиления по току (hFE) | 20–100 (при IC = 4 А) | | Граничная частота усиления (fT) | ~2 МГц | | Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | ≤ 1,5 В при IC = 4 А | | Максимальная температура перехода (Tj) | 200 °C | | Тепловое сопротивление переход–корпус (RθJC) | 1,75 °C/Вт | | Рабочий диапазон температур | −65…+200 °C |

⚠️ Примечание: конкретные значения могут незначительно отличаться в зависимости от производителя (Motorola, ON Semiconductor, STMicroelectronics и др.). Перед проектированием всегда сверяйтесь с актуальным datasheet конкретного изготовителя.


Парт-номера и аналоги

Оригинальный парт-номер:

  • 2N5345

Возможные варианты маркировки/замен:

  • 2N5345A (улучшенная версия с повышенным напряжением — до 80 В VCEO)
  • 2N3055 — функциональный аналог (60 В, 15 А, 115 Вт), очень распространён
  • 2N3055A
  • MJ2955 — комплементарный PNP (не замена, а пара)
  • 2N3772, 2N3773 — более мощные аналоги
  • TIP3055 — аналог в корпусе TO-218/TO-247
  • BDX18, BDY20 — европейские аналоги

Обозначение по системе JEDEC: 2N5345 — оригинальная регистрация.


Совместимые модели и замены

Прямые/близкие аналоги (NPN, TO-3):

  • 2N3055, 2N3055A, 2N3055H
  • 2N3772, 2N3773
  • 2N5630, 2N6030
  • MJ15001, MJ15002, MJ15003, MJ15004
  • BDY20, BDY23, BDX18
  • TIP3055 (другой корпус)
  • КТ819 (советский аналог), КТ808АМ

Комплементарные пары (PNP):

  • MJ2955 (к 2N3055)
  • 2N5346 (если существует в линейке)
  • MJ15001/15002 серия

Применяемость в схемах:

  • Усилители мощности (например, схемы на 2N3055)
  • Линейные стабилизаторы
  • Инверторы 12→220 В
  • Зарядные устройства
  • Сварочные инверторы малой мощности

Рекомендации по применению

  1. Обязательно устанавливайте транзистор на радиатор — при полной мощности рассеивание достигает 100 Вт.
  2. Используйте термопасту и изоляционную прокладку (слюда/керамика), если корпус должен быть изолирован от радиатора.
  3. При коммутации индуктивной нагрузки ставьте защитный диод параллельно нагрузке.
  4. Для параллельного включения подбирайте транзисторы с близким hFE и используйте выравнивающие эмиттерные резисторы (0,1–0,5 Ом).

Если вам нужен datasheet конкретного производителя или схема включения — уточните, для какой задачи используется 2N5345, и я подготовлю более детальную информацию.

Совместимые модели для Semiconductor 2N5345

Semiconductor 2N5345

Товары из этой же категории