Semiconductor 2SB1201S

2SB1201S — это кремниевый PNP транзистор средней мощности, произведённый компанией SANYO Electric Co., Ltd. (ныне — подразделение ON Semiconductor / Semiconductor Components Industries).

Общее описание

2SB1201S относится к серии 2SB1201 и предназначен для усиления и переключения сигналов средней мощности. Транзистор выпускается в изолированном корпусе TO-220F (SANYO-специфическая модификация с полностью изолированным фланцем), что позволяет крепить его на радиатор без дополнительной изоляционной прокладки. Типичное применение — драйверы, усилители, стабилизаторы, импульсные схемы, аудиотехника среднего класса.

Комплементарная пара — 2SD1801 (NPN).

Технические характеристики (2SB1201S)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | PNP | | Материал | Кремний (Si) | | Корпус | TO-220F (изолированный) | | Макс. напряжение К-Э (Vceo) | −60 В | | Макс. напряжение К-Б (Vcbo) | −60 В | | Макс. напряжение Э-Б (Vebo) | −6 В | | Макс. ток коллектора (Ic) | −3 А | | Импульсный ток коллектора (Icp) | −5 А | | Рассеиваемая мощность (Pc, Tc=25 °C) | 25 Вт | | Рассеиваемая мощность без радиатора (Ta=25 °C) | 2 Вт | | Граничная частота (fT) | тип. 150 МГц | | Статический коэф. усиления hFE | 70–400 (в зависимости от ранга) | | Напряжение насыщения Vce(sat) | тип. −0.3 В (при Ic=−1 A, Ib=−50 мА) | | Ток утечки коллектора (Icbo) | макс. −1 мкА | | Ёмкость коллекторного перехода | тип. 30 пФ | | Рабочая температура перехода | −55…+150 °C | | Аналог/комплемент | 2SD1801 |

⚠️ Есть также версия 2SB1201 (в неизолированном корпусе), маркировка S в конце обозначает изолированный корпус TO-220F.

Разбивка hFE по ранкам (SANYO standard):

• 2SB1201S-R — hFE 70…140
• 2SB1201S-S — hFE 110…220
• 2SB1201S-T — hFE 160…320

Парт-номера (Part Numbers)

Основные варианты обозначения у разных производителей/дистрибьюторов:

| Парт-номер | Примечание | |---|---| | 2SB1201S | Базовое обозначение | | 2SB1201S-R | ранг R (hFE 70–140) | | 2SB1201S-S | ранг S (hFE 110–220) | | 2SB1201S-T | ранг T (hFE 160–320) | | 2SB1201S-T-AB3 | вариант упаковки/проч. параметров | | 2SB1201S-T-AB4- | вариант упаковки | | 2SB1201S-RA | упаковка (аппаратная трубка / аммо-упаковка) ‑ в зависимости от формата | | (у ON Semi как 2SB1201S может иметься собственный Part# с схемами top mark) | маркировка вида «B1201S» |

У аналогичных по конструктиву вариантов от местных производителей (например, китайские re-mark/кросс-версии) обозначения могут добавлять шифр напряжения — но принципиально выпуск присутствует под кодами:

• 2SB1201 (неизолированный TO-220/TO-220F либо с частичной маркировкой)
• 2SB1202, 2SB1203, 2SB1204 (увеличенные напряжения/мощности)

При заказе указывайте полный код, включая ранг hFE и тип упаковки (∅ box / tube / AB-with-tap)

Совместимые / взаимозаменяемые и выводные аналоги

Прямо совместимые комплементарные и аналоговые варианты (в подходящем корпусе TO-220):

| Транзистор | Тип | Отличие | |---|---|---| | 2SD1801(S) | NPN | комплементарная пара | | 2SB1202(S) | PNP | больший корпус/Vceo | | 2SB1203(S) | PNP | выше Ic/напряжение (60 В, 5–6 А) | | 2SB772 | PNP | аналогичен по назначению, другие параметры (40 В, 3 А) | | 2SB834 | PNP | 60 В, 3 А, близкий аналог (Sanken) | | BD376 | PNP | 60 В, 4 А (Philips) | | BD578 | PNP | близкий аналог | | MJE15031 | PNP | 60 В, 4 А (ON/Motorola) | | TIP32A/B/C | PNP | популярная замена в драйверах | | 2SA1021 / 2SA1240 | PNP | если площадь фланца позволяет и параметры подходят | | 2SC2238 / 2SC1507 | NPN | «зеркальные» пары при инверсных схемах (не напрямую) | | 2SA1011(S) | PNP | близкий по назначению, до 120 В | | 2SB1210 | PNP | дальше из «мостовой» серии (45 В, лоуд-павер ингрианс) | | BU406 | NPN | строго комп. версия не знакома, см. BUS-512 | | BDVxx, STN-Japan BD-series | аналоги в SOT-223/TO-220 |

Технические близкие зарубежные аналоги:

• PBD: HI-SINCERITY/MIC/... (localized)
• KTC-series (эквивалент NPN)
• ANY PNP, 60V, 3A, TO-220F, hFE от 70 до 400

При замене контролируйте как минимум:

• корпус и изолированный фланец,
• Vceo порог и конструкцию V-B-ватности радиатора,
• доп. p-n transitions и распределение pinnings (E с «основной» ножкой не дающей сдвиг по тепловому термистору,
• наличие rank-letter в конце (особенно для примеров сложенно-параллельных сборок где допуска ещё меньше растётся sigma выpaбатываемосt и шумы).

Резюме в одном предложении

2SB1201S — PNP 60 В/3 А среднемощный транзистор SANYO в изолированнном TO-220F, рассеивает до 25 Вт на радиаторе, приме