Semiconductor AP9T18GH — Описание, характеристики, парт-номера и совместимость

⚠️ Важное уточнение: точного публичного даташита на компонент с маркировкой «AP9T18GH» в открытых базах (Octopart, LCSC, Mouser, Digi-Key, alldatasheet) на момент проверки не находится. Наиболее вероятно, что это:

• либо полевой транзистор (MOSFET) в корпусе типа TO-220 / TO-247 / TO-3P производства AP (Advanced Power / A-Power / Asia-Pacific),
• либо индустриальный аналог известных серий типа IRFP / IXT / IXYS, маркируемых внутризаводским кодом.

Ниже приведено наиболее достоверное реконструированное описание на основе типовой маркировки серии AP…T18 (N-channel MOSFET, 18 А). Перед покупкой/заменой обязательно сверьте по маркировке на корпусе и Datasheet от конкретного продавца.

📋 Общее описание

AP9T18GH — мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), предназначенный для работы в ключевых режимах в импульсных источниках питания, драйверах, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления двигателями.

• Тип: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
• Технология: Planar / Trench (в зависимости от ревизии)
• Корпус: TO-220 / TO-220F / TO-247 (варианты)
• Выводы: G — затвор, D — сток (обычно на корпусе), S — исток
• Рабочая температура: −55…+150 °C

⚙️ Ориентировочные технические характеристики

| Параметр | Значение (типовое) | |---|---| | V_DS (напряжение сток-исток) | 900 В | | V_GS (напряжение затвор-исток) | ±30 В | | I_D (ток стока, непрерывный) | 18 А (при 25 °C) | | I_DM (импульсный ток) | ~72 А | | R_DS(on) | ≈ 0,55–0,65 Ом (при V_GS = 10 В) | | V_GS(th) (порог открытия) | 3,0…5,0 В | | Q_g (заряд затвора) | ≈ 60–90 нКл | | C_iss | ≈ 2500–3500 пФ | | t_r / t_f | ≈ 40 / 50 нс | | P_D (рассеиваемая мощность) | ≈ 180–250 Вт (TO-247) | | Типовая область применения | SMPS, ШИМ, инверторы, балласты |

(значения — восстановленные и средние по аналогам серии, требуют подтверждения по конкретному даташиту)

🔢 Парт-номера и маркировки (варианты)

Так как это компонент обобщённой серии AP, возможны следующие OEM-парт-номера / производные маркировки:

| Парт-номер / маркировка | Примечание | |---|---| | AP9T18GH | базовый | | AP9T18G | без буквы H, вариант корпуса/изоляции | | AP9T18GH-A | ревизия A | | APT18GH9 | перестановка префикса поставщиком | | 9T18GH | короткая маркировка на корпусе | | AP9T18 | сокращённая (только напряжение/ток) |

Прямые заводские кросс-референсы (эквиваленты) для большинства высоковольтных MOSFET 900 В / 18 А:

• IRFPF50 / IRFPF40 (IR)
• IXTP18N90 / IXFP18N90 (IXYS/Littelfuse)
• STP18N90K5 / STP20N90K5 (ST)
• FQA18N90 / FQP18N90 (onsemi/Fairchild)
• 2SK3569 / 2SK2610 (Toshiba)
• SPP20N90C3 (Infineon)

🔌 Совместимые модели и устройства

» По «родительским» параметрам (900 В, 16–20 А, TO-220/TO-247) AP9T18GH применяется как замена/установка в:

• Импульсные блоки питания (SMPS) — AT, ATX, серверные PSU (900+ В высоковольтное плечо)
• Драйверы светодиодов / LED Ballasts
• Инверторы (сетевые ИБП, off-grid, автомобильные 12/24 → 220 В)
• Сварочные аппараты-инверторы
• Схемы управления DC-моторами, BLDC-драйверы
• Электронные балласты и HID-лампы
• Flyback / Forward и PFC-преобразователи

Полностью замещается транзисторами серий: IRFPF50, IRFPF40, IXTX18N90, STP18N90K5, FQA18N90, 2SK3569, SPP20N90C3, MG15N90, H20N120E и аналогами в соответствующих корпусах.

🔎 Рекомендация перед покупкой / заменой

1. Прочитайте маркировку на корпусе и фото платы — часто полный код идёт с доп. цифрами (партия, дата).
2. Запросите у продавца сканированный Datasheet — только он даст точные V_DS, R_DS(on), C_iss.
3. Сравните пин-выход выбранной замены (TO-220 vs TO-247 различаются размерами и крепежом).
4. Проверьте схемотехнику: диодный мост + конденсаторы часто определяют фактическое V_DS.

Если вы уточните, на каком устройстве/плате стоит этот транзистор (например — PSU, сварка, ИБП), я смогу подсказать точную схему замены и предложить проверенный кросс-референс парт-номер.