K10A50D — MOSFET-транзистор (N-канальный, 100 В, 50 А)

Описание

K10A50D — это N-канальный MOSFET-транзистор, выпускаемый компанией Toshiba (серия K-серии, иногда маркируется как TK10A50D или 2SK10A50D в зависимости от производителя-аналога). Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и схемах коммутации мощных нагрузок.

⚠️ Важно: параметры «K10A50D» могут различаться у разных производителей (Toshiba, KEC, аналогичные китайские копии). Ниже приведены типичные характеристики для версии Toshiba/KEC.

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-channel MOSFET | | Тип корпуса | TO-220F / TO-3P / TO-220 | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Ток стока (I_D) непрерывный | 10 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_DM) | 40 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~0.75 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2.0 – 4.0 В | | Напряжение затвор-исток (V_GSS) max | ±30 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 45 – 125 Вт (зависит от корпуса) | | Заряд затвора (Q_g) | ~25 нС | | Входная ёмкость (C_iss) | ~1200 пФ | | Сопротивление затвор-исток (R_GS) | 100 Ом | | Рабочая температура | -55…+150 °C | | Тип перехода | Кремниевый, планарный |

Основные особенности

• Высокое напряжение пробоя (500 В)
• Низкие потери проводимости
• Быстрое переключение
• Встроенный защитный диод (body diode)
• Подходит для высокочастотных ШИМ-приложений

Парт-номера и маркировки

Производители и варианты обозначений:

| Производитель | Маркировка / парт-номер | |---|---| | Toshiba | 2SK10A50D, TK10A50D | | KEC | K10A50D | | ON Semiconductor (аналог) | IRFBC40, IRFBG30 (близкие параметры) | | STMicroelectronics (аналог) | STP10NK50Z | | Vishay (аналог) | IRFBC40, FQPF10N50 |

2SK10A50D — оригинальная японская маркировка Toshiba. K10A50D често встречается в китайских партиях как маркировка на корпусе.

Совместимые модели и аналоги

Прямые аналоги (близкие по параметрам 500–600 В, 10 А):

| Модель | Производитель | V_DSS | I_D | R_DS(on) | |---|---|---|---|---| | 2SK2499 | Toshiba | 500 В | 10 А | 0.75 Ом | | 2SK2053 | Toshiba | 500 В | 10 А | 0.75 Ом | | IRFBG30 | Vishay | 1000 В | 3.1 А | — | | IRFBC40 | Vishay | 600 В | 6.2 А | 0.85 Ом | | STP10NK50Z | ST | 500 В | 10 А | 0.65 Ом | | SPP10N50C3 | Infineon | 560 В | 10 А | 0.65 Ом | | FQPF10N50C | Fairchild/ON | 500 В | 10 А | 0.65 Ом | | 10N50 (общее обозначение) | Various | 500 В | 10 А | 0.65–0.75 Ом |

Типы схем применения:

• ИБП (SMPS) — особенно дежурный/аварийный inverter
• LED-драйверы
• AC-DC адаптеры
• Инверторы для сварочных аппаратов
• Мощные импульсные блоки питания

Совместимые устройства (примеры применения в бытовой технике и электронике)

K10A50D часто встречается в:

• ИБП APC, Ippon, Powercom
• Блоках питания телевизоров (Samsung, LG — ШИМ-узлы)
• Сварочных инверторах Ресанта, Fubag
• Зарядных устройствах для аккумуляторов
• Компьютерных БП (вторичные цепи)

⚠️ Перед заменой убедитесь, что корпус (TO-220 / TO-220F / TO-3P) и тип изоляции совпадают, а ток и напряжение не ниже оригинала.

Рекомендации по замене

1. Проверьте корпус — TO-220 и TO-220F (изолированный) взаимозаменяемы c учётом прокладки.
2. Аналог должен иметь V_DSS ≥ 500 В и I_D ≥ 8–10 А.
3. Желательно подобрать R_DS(on) ≤ 0.8 Ом для минимальных потерь.
4. При замене в ШИМ-схемах проверяйте C_iss и Q_g — сильно отличающиеся значения могут нарушить работу драйвера.

Если нужно — могу подобрать конкретный аналог под определённую схему (например, для БП телевизора или сварочника) с учётом корпуса и цоколёвки.