Eupec BSM75GB120DN2

Этот запрос относится к мощному IGBT-модулю (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Eupec (ныне часть Infineon Technologies). Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах (аналогах).

Описание Eupec BSM75GB120DN2

Eupec BSM75GB120DN2 — это IGBT-модуль половинного моста (Half-Bridge) второго поколения, предназначенный для работы в силовой электронике. Он состоит из двух IGBT транзисторов с обратными диодами, собранных в стандартном корпусе 34mm (профиль 34 мм). Модуль широко применялся в преобразователях частоты, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и приводах двигателей.

Особенности:

• Конструкция половинного моста (верхнее и нижнее плечо).
• Наличие встречно-параллельных (обратных) быстродействующих диодов для soft-коммутации (мягкого переключения).
• Низкое напряжение насыщения (для своих лет).
• Высокая коммутационная способность и надежность.
• Стандартный формат крепления, совместимый с многими типами радиаторов и драйверов.

Технические характеристики

Предельные параметры (Maximum Ratings)

( При температуре корпуса Tcase=25°C, если не указано иное )

• Параметр: Предельное напряжение коллектор-эмиттер (Vces)
  • Значение: 1200 В
• Параметр: Постоянный ток коллектора (IC)
  • Значение: 75 A (при Tcase=80°C) / ~100 A (при Tcase=25°C)
• Параметр: Импульсный ток коллектора (ICpuls)
  • Значение: 150 A
• Параметр: Рассеиваемая мощность (Ptot)
  • Значение: 350 Вт (на один IGBT)
• Параметр: Ток обратного диода (IF)
  • Значение: 75 A (при Tcase=80°C) / (оценочно ~100 А пиковый)

Электрические характеристики (Static & Dynamic)

( Напряжение/Ucesat измерено при IC=75A, VGE=15B )

• Напряжение насыщения (Vce(sat)): ~2.1...2.7 В (тип. 2.4 В)
• Пороговое напряжение затвора (VGE(th): ~5.0...9.0 В (тип. 6.0 В)
• Входная емкость (Cies): ~4.5 нФ (тип.)
• Время нарастания (tr): ~60 мкс
• Время включения (ton): ~0.2...0.5 мкс
• Время выключения (toff): ~0.6...1.2 мкс
• Изоляция (Visol) – корпус-основание: 2500 V RMS (AC, 1 мин)

Критические режимы:

• Температура перехода (Tj): -20...+150°C
• Температура хранения (Tstg): -40...+150°C
• Момент затяжки винтов: 2.5 - 3.5 Н·м (для силовых и управляющих клемм)

Парт-номера и совместимые модели (Даташит / BOM)

Заводской номер (часто маркировка на корпусе):

• BSM75GB120DN2 (основной заказной номер). В отдельных ревизиях: BSM75GB120DN2E или BSM75GB120DEU.

Прямые аналоги (Drop-in replacement) — те же характеристики, тот же корпус (34 мм, половина моста, 1200В / 75А)

1. Infineon (изначальный производитель, бывший Eupec):

   • BSM75GB120DN2 (OW BSM75GB120DN2)
   • TSM75GB120DN2 (считается новым артикулом Infineon)

2. Fuji Electric (архивные модели 2-го поколения):

   • 2MBI75N-120
   • FZ1000R12KF4 (другой типоразмер, не путать — редко)

3. Semikron:

   • SKM75GB128D (аналог 1200В/75А)
   • SKM75GE12Y (иногда взаимозаменяемы)

4. IXYS:

   • VUO70-12NO7 (выхлопник — скорее мост, а не полумост — будьте осторожны)
   • IXGN75N120C (SBL-B2 корпус или ECO-PAC1, НО 75А, 1200В ).

При подборе обязательно проверяйте:

1. Принципиальную схему: Этот модуль — Half-Bridge (два транзистора внутри с одним общим эмиттером для нижнего и коллектором для верхнего).
2. Ключевые параметры драйвера: Eupec BSM75GB120DN2 требует положительного напряжения открытия (+15..20В) и отрицательного запирания (-5..-15В) для стойкой работы от насыщения.
3. Дату прошивки/год. Начиная с 2000-х годов модули стали маркироваться новой нумерацией Infineon - чаще всего замена производится на TSM75GB120DN2 (как оригинал).

Примечание: Полную спецификацию следует скачать из крупных микросхемных хранилищ (последнюю версию документа Manufacturer даташит или www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/113179/EUPEC/BSM75GB120DN2.html ), там присутствуют детальные графики и прямоугольные отверстия.