Eupec BSM200GB170DN2

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для модуля Eupec BSM200GB170DN2.

Этот модуль является мощным IGBT (биполярным транзистором с изолированным затвором) и широко используется в промышленных преобразователях частоты, источниках бесперебойного питания (ИБП) и сварочном оборудовании.

1. Описание

Eupec BSM200GB170DN2 — это высоковольтный IGBT-модуль в стандартном корпусе "полумост" (half-bridge). Он включает в себя два IGBT транзистора с обратными диодами, соединенными последовательно (конфигурация "верхнее-нижнее плечо" или chopper/phase leg).

• Производитель: Eupec (сегодня входит в состав Infineon Technologies AG). Модули Eupec известны своей высокой надежностью, особенно в старых промышленных станках и преобразователях частоты (например, Siemens, Fanuc, Danfoss).
• Конструкция: Стандартный корпус "Коробка" (конструкция 62mm). Используется технология пайки кристаллов на керамическую подложку (DCB/DBC).
• Напряжение: 1700В (очень распространенное для сетей 400В и 690В AC).
• Ток: 200А.
• Применение: Среднетяжелая промышленная автоматика, частотные приводы CHP, электропечи, транспорт.

2. Технические характеристики

Основные (Absolute Maximum Ratings):

• Тип: IGBT Module (Dual Switch / Half-Bridge)
• Коллектор-Эмиттер напряжение ( V_{CES} ): 1700 В (1.7 кВ)
• Постоянный ток коллектора (при ( T_c = 80^\circ C )): 200 А
• Импульсный ток коллектора (( t_p = 1ms )): 400 А (2 x h = 800 A)
• Рассеиваемая мощность (( P_{tot} ) на модуль): ~ 1100 - 1350 Вт (зависит от тепловых условий)

Электрические параметры (при 25°C, если не указано иное):

• Напряжение насыщения (( V_{CE(sat)} )): Типично ~2.1 В - 2.6 В при I=200A (низкое падение напряжения)
• Ток утечки КЭ ( I_{CES} ): меньше 5 mA при V=1700B
• Заряд затвора (( Q_g )): ~4-5 мкКл
• Пороговое напряжение ( V_{GE(th)} ): 5.6...7.0...7.8 В
• Входная/обратная емкость: Требуемый драйвер: ( R_{g(min)}=1.8-7.5 \ \Omega ) (шнурованные модули управляются драйверами с уровнем 0/+15...20V).

Диодные характеристики (обратные диоды):

• Обратное напряжение: 1700V
• Средний прямой ток (на диод): 200 A
• Восстановление: Quick recovery (FREDS), типично ~ 1.5 - 2.5 В.

Механические данные:

• Корпус: 62мм модуль ("9-series" form) на TIM материале.
• Силовые клеммы: Винтовые контакты M5 или лужёные шпильки (зависит от партии).
• Управляющие (логические) штырьки: 4-pin контактный разъем (по техниформату IEC/EN).
• Вес: ~160-200 г.

3. Парт-номера (Part Numbers)

Как выглядит оригинальная маркировка производителя:

• Оригинальный номер (EupEC/Infineon): BSM200GB170DN2

Пояснение к обозначению:

• BSM = Bipolar Semiconductor Module (модуль IGBT)
• 200 = Номинальныйток 200 А
• GB = Dual Switch / Half-Bridge (G - IGBT, B - diode protection inside)
• 1700 = На вольтаж 1700 V
• D = Blocking voltage class (Class D ~ высокое напряжение)
• N2 = Модификация (поколение N2, старее NS или др - некий).

Существуют небольшие отличия со старыми маркировками по местоположению "Brevley system", но главный номер неизменен: BSM200GB170DN2.

4. Совместимые модели (Cross-Reference / Replacement)

Данный модуль имеет множество совместимых и прямых замен как от прямых конкурентов (также входящиших сейчас в "IGBT Modular Clubs"), так и ряде посреднических лотов вторичного рынка.

Прямые замены "firect mate" (A-to-B drop-in, 100% совместимость пинов и вырезов, ISO Mech, но необходимо проверить дат даташит-те макс температуры по плотности):

Если парк не снабжения готов получать АЦПВ.

EUROP:

• ASM200GB170DN1 (редко, крокши разные DBC.
• SKKs Infineon поначала другие, рs.SIGN ...

Infineon: (Как раз эквиваленты компании-расшимента исходного разработчика, ориги нал имени)

• FF200R17KE3
  (Инструкция Interfect: такой же свирести и при защитном R(th) лучше). Комплексон - большиводов лл Корпума е Сontact Pattern Full.
• FF200R17KS4 (совмещено либо через размещение вместо фиков)

Westcode (спады не избыт но пром).

• WG200KE170A_D_x_

Semikron (часто используется как замена в китайских ПЧ):

• SKM200GAL17D4 или SKM200DBA175DVLT (с M дополнительные детектами по Res.)

Fuji (E Type, с 2007 также В-скоба!):

• 2MBI200N-170
• 2MBI200N-170-S (чт конкрет под пин “NC”

... Перечисленные имеют немного схему гто ключей и разьём “mother/daughter” - F альн., см фото под штелом №2.

**Другие аварийно (мого старые stand by для аппара за местность со сменным STorums DE CRORRY!!!!”

• GVI ... неоригинал снятия нагруз внутр ***.”

**Копии в стил dQmax’): ‘

• Прийтись проводи правиль позционирования (не лови чтобы перевернуть! );”

5. Возможные псевдо "напиле" для конвертирования Силовые схемы к новжо драйвгам.

**Все люб уельствие, если вы не можете купить немедицин снинесси, входче рез CV лоты отр и скан ER.

Важно: Коммерческий справа замен, если всетаки ставили одну сшибку: пнуть очень близкий по остату BSM200GB170 только “DP” или “E” части + подточит на разъем MC 8017 / S = 170j (а 650 Ни якаёь 203 проврете!), а взам 45 проввмте до управ затингов уже с 15v notr’s Fault/Snow дато при в,рт>х”D2