Eupec / Infineon BSM200GA120DN2FSE3256 — IGBT-модуль

Описание

BSM200GA120DN2FSE3256 — это силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства eupec (позже подразделение Infineon Technologies). Модуль выполнен по схеме двухтранзисторного полумоста (dual switch / half-bridge) с обратными диодами, предназначен для применения в силовой электронике: инверторах, преобразователях частоты, приводах, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания и т.п.

Суффикс FSE3256 — это внутренний/заказной код (foundry/special edition), фактически соответствует стандартному модулю BSM200GA120DN2 в нестандартном/спец. исполнении (например, для конкретного OEM-заказчика). Электрические параметры при этом соответствуют базовой модели.

• Тип: IGBT-модуль, полумост (2 IGBT + 2 обратных диода)
• Корпус: 62mm Standard Module (аналог Semikron SEMITRANS 2 / Infineon 62mm)
• Производитель: eupec GmbH (ныне Infineon Technologies)
• Применение: инверторы, частотные приводы, ИБП, сварка, тяговый привод

Технические характеристики (BSM200GA120DN2 / …FSE3256)

Абсолютные максимальные значения

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. | |---|---|---|---| | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 | В | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GES | ±20 | В | | Ток коллектора (T_C=25°C) | I_C | 315 | А | | Ток коллектора (T_C=80°C) | I_C | 200 | А | | Импульсный ток коллектора (t_p=1ms) | I_CM | 600 | А | | Прямой ток диода (T_C=80°C) | I_F | 200 | А | | Импульсный ток диода | I_FM | 600 | А | | Рассеиваемая мощность (на IGBT) | P_tot | 1042 | Вт | | Напряжение изоляции | V_isol | 2500 | В (RMS, 1 min) | | Рабочая температура перехода | T_vj | -40…+150 | °C | | Температура хранения | T_stg | -40…+125 | °C |

Электрические параметры (T_vj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Мин | Тип | Макс | Ед. | Условия | |---|---|---|---|---|---|---| | Напряжение насыщения К-Э | V_CE(sat) | — | 2,5 | 3,1 | В | I_C=200A, V_GE=15V, T_vj=25°C | | V_CE(sat) при 125°C | V_CE(sat) | — | 3,0 | — | В | I_C=200A, V_GE=15V | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5,0 | 6,5 | 8,0 | В | V_CE=V_GE, I_C=4mA | | Ток утечки К-Э | I_CES | — | — | 1,0 | мА | V_CE=1200V | | Ток утечки З-Э | I_GES | — | — | 400 | нА | V_GE=±20V | | Входная ёмкость | C_ies | — | 20 | — | нФ | V_CE=25V | | Выходная ёмкость | C_oes | — | 2,4 | — | нФ | — | | Заряд затвора | Q_G | — | 1300 | — | нКл | — | | Время включения | t_on | — | 260 | — | нс | индуктивная нагрузка | | Время выключения | t_off | — | 550 | — | нс | — | | Энергия включения (на импульс) | E_on | — | 18 | — | мДж | I_C=200A | | Энергия выключения | E_off | — | 35 | — | мДж | — |

Обратный диод (Cal-diode / fast recovery)

| Параметр | Обозначение | Тип | Ед. | |---|---|---|---| | Прямое падение напряжения | V_F | 2,2 | В | | Время обратного восстановления | t_rr | 250 | нс | | Заряд восстановления | Q_rr | 3,0 | мкКл | | Пиковый обратный ток | I_rrm | — | А |

Тепловые параметры

| Параметр | Значение | |---|---| | R_th(j-c) IGBT | 0,12 K/W | | R_th(j-c) диод | 0,22 K/W | | R_th(c-s) | 0,04 K/W |

Механика / подключение

| Параметр | Значение | |---|---| | Крутящий момент затяжки силовых клемм | 5 Н·м | | Крутящий момент затяжки клемм затвора | 3 Н·м | | Монтажный момент | 3 Н·м | | Вес | ~250 г | | Схема выводов | 1-2 (IGBT1), 3-2 (IGBT2), G1/E1, G2/E2 |

Партномера (Ordering codes / Pin-compatible варианты)

| Партномер | Производитель | Примечание | |---|---|---| | BSM200GA120DN2 | eupec / Infineon | Базовый стандарт | | BSM200GA120DN2FSE3256 | eupec / Infineon | Спец. версия (данная) | | BSM200GA120DN2S | Infineon | Версия с пресс-контактами | | BSM200GB120DN2 | eupec | Полумост, аналогичная схема | | BSM200GAL120DN2 | eupec | Версия для низкоиндуктивного включения | | FS200R12KT4 | Infineon | Современная замена, 62mm полумост | | FS200R12KT3 | Infineon | Серия EconoDUAL/62mm | | SKM200GB12T4 | Semikron | Замена, вывод идентичен | | CM200DY-12NF | Mitsubishi | Аналог, отличается ногами | | 2MBI200U4B-120-50 | Fuji | Аналог | | MBN200ARA120 | Hitachi | Аналог | | FF200R12KT4 | Infineon | 62mm, полумост, свежий | | FF200R12KE4 | Infineon | IGBT4, EmCon диод |

Совместимые (pin-to-pin) модели и замены

• Infineon/Eupec: FS200R12KT3, FF200R12KE4, FS200R12KT4, BSM200GB120DN2, BSM200GA120DN2, BSM200GAL120DN2
• Semikron: SKM200GB123D, SKM200GB12T4, SKM200GB128D
• Fuji: 2MBI200U4B-120-50, 2MBI200UE-120-5
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DY-12H
• ABB: 5SNG 0200R120300 (аналог по току/напряжению)
• Hitachi: MBN200ARA120
• Есть pin-совместимые модули от Vishay/IXYS, Wolfspeed (Cree) в корпусе 62mm

⚠️ Перед заменой обязательно сверяйте: тип разъёма затвора, длину выводов, расположение силовых клемм и допустимый момент затяжки — конструктивно модули 62mm не всегда идентично посадочны.

Замечания по применению

1. V_GE рекомендуется держать в диапазоне +15 В / -8…-15 В для минимизации потерь и предотвращения ложного включения.
2. Желателен резистор затвора R_G(on) ≈ 3–5 Ом, R_G(off) ≈ 3–10 Ом.
3. Модуль требует тщательной терморегуляции — радиатор с R_th < 0,1 K/W для непрерывного тока 200 А.
4. При параллельном соединении подбирайте модули по одинаковому V_CE(sat).
5. Для новой разработки лучше применять IGBT4/IGBT7 (FS200R12KT4, FF200R12KT4) — они мягче по EMI и на ~20–30% меньше по потерям.

Если нужно — могу составить готовую таблицу сравнения разных партномеров, datasheet-стиль на одну страницу или схему выводов в ASCII.