Microsemi TO-257

Это базовая информация о транзисторах компании Microsemi (ныне дочерняя структура Microchip Technology) в корпусе TO-257 (также известном как TO-257AA или TO-258).

Этот корпус представляет собой герметичный металло-керамический (гермит или изолированный металл) корпус, предназначенный для военных, аэрокосмических и высоконадежных промышленных применений. Если речь идет именно о конкретном компоненте (например, о стабилизаторе напряжения, диоде или транзисторе в этом корпусе), пожалуйста, уточните. Чаще всего в TO-257 производят MOSFET (в т.ч. радиационно-стойкие - R5-серия) и диоды Шоттки или биполярные транзисторы.

Ниже приведена общая спецификация, основанная на типичных продуктах Microsemi в этом корпусе, с упором на наиболее массовую продукцию — MOSFET. Я также привел примеры деталей — вам нужно уточнить, какая у вас модель конкретно.

Описание

Корпус TO-257 (по спецификациям JEDEC — TO-257AA) герметичен. Он спроектирован для низкоомных термопереходов и лазерной прошивки. Обычно используется для транзисторов и диодов в военных (MIL-STD) и авиационных (DO-160, SAE) применениях.

Ключевые особенности:

• Высокая термонагрузка: рассеиваемая мощность до десятков-сотен ватт (50–125 Вт и выше в зависимости от типа).
• Выходной контакт: обычно 3 вывода (Gate, Drain, Source или Emitter, Collector) + часто есть металлическая подложка (tab).
• Рекомендован для проектов с повышенными вибрациями, перегрузками и агрессивной средой.

Типовые технические характеристики

(Для MOSFET — Intel, APTC80, серий 2N... и аналогичных Microsemi: это транзисторы с вертикальной структурой Power MOSFET)

• Типы полюсов:
  • Vds (напряжение сток-исток): обычно от 20 V до 200+ V (например, в серии IRHF, IXDC, 2N923F — до 1000V).
• Сила тока:
  • Id (ток стока постоянный или импульсный): для типичного MOSFET 100–500A (хотя ток ограничен термическим).
• Сопротивление Rds(on) от 5 мОм (для низковольтных до 100V) до примерно 0.4 Ом (для 400V-600V MOSFET).
• Разрушающая мощность: до 150 Вт (при эффективном теплостоке)
• Рабочая температура перехода: Типично –55 °C ... +175 °C (до 200°C — специальные исполнения).
• Количество присоединительных выводов: 3 вывода. В некоторых диодных топологиях может быть модификация на 2-3 присоединительных площадки.

Парт номера (примеры) Microsemi в TO-257

Ниже — только небольшая часть ассортимента, имедоступная для покупки в этих корпусах. Без точного названия нужно уточнять, какую карточку вы просматриваете.

• Д201 (D201, DO-7?)
• — 2N6785, 2N6966
• — MOSB51 (MOSFET N-канальные, до 100-120V)
• — JFET — U441, U440 series.
• — мощные диоды (для AC-переключения) — P25F
• — аккумуляторы: —
• Также обратите внимание: часто вместо Microsemi подбираем ITT Semiconductor (современную купленную TriQuint), TI (Junction transistors) местное СВЕЖИ «компрессоры DC-DC» LV9012.

!! Microsemi (Olecor Electronic Corporation — прародители) тоже долго производила в этом корпусе, кстати, лампочки и транзит.*

Единственно точные позиции поиже напрядж: *# например IRHFB5520SE (Microchip/VC) и IRHA51NF2. Аналоги вышеуказанных APT10390.