Microsemi TIP115

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о парт-номерах для Microsemi TIP115.

⚠️ Важное уточнение по производителю

Оригинальная компания Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology в 2018 году. На данный момент производство и продажа этих компонентов осуществляются под брендом Microchip Technology. В старой документации и на складах вы можете встретить маркировку Microsemi, но новый заказ будет оформляться через Microchip.

📄 Описание

TIP115 — это кремниевый составной (дарлингтоновский) транзистор структуры PNP, предназначенный для коммутации значительных токов и напряжений.

Ключевые особенности:

• Составная схема Дарлингтона: Внутри корпуса находятся два транзистора, включенных по схеме Дарлингтона. Это обеспечивает чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (hFE), что позволяет управлять большим током коллектора очень малым током базы. Это критически важно для интерфейсов между слаботочными контроллерами (например, микроконтроллерами) и мощной нагрузкой.
• Встроенные диоды: Включает в себя антипараллельный диод между коллектором и эмиттером, а также резистор между базой и эмиттером. Это упрощает схему драйвера и защищает транзистор от обратных выбросов при работе с индуктивной нагрузкой (реле, двигатели, соленоиды).
• Корпус: Выпускается в стандартном мощном корпусе TO-220AB, который легко крепится к радиатору для отвода тепла.

Основное применение:

• Драйверы реле и соленоидов.
• Управление двигателями постоянного тока.
• Схемы коммутации питания.
• Усилители мощности звуковой частоты (выходные каскады).
• Линейные стабилизаторы с высоким током.

📊 Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | PNP (Дарлингтон) | Составной | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 60 В | | | Макс. напряжение коллектор-база (Vcbo) | 60 В | | | Макс. ток коллектора (Ic) | 5 А (постоянный) | 8 А (импульсный) | | Макс. рассеиваемая мощность (Pc) | 65 Вт | При Tc = 25°C | | Коэф. усиления по току (hFE) | 1000 (минимум) | При Ic = 3А, Vce = 3В | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 2.0 В (макс.) | При Ic = 3А, Ib = 12мА | | Граничная частота (ft) | 4 МГц (мин.) | | | Рабочая температура | -65 ... +150 °C | Температура перехода | | Корпус | TO-220AB | 3 вывода |

🔢 Парт-номера и маркировка

Поскольку производство перешло к Microchip, актуальные парт-номера выглядят так:

• Основной парт-номер: TIP115
• Полный артикул Microchip: TIP115
• Маркировка на корпусе: TIP115
• Упаковка: Обычно поставляется в тубах (Tube) или россыпью. В заказе может добавляться суффикс, обозначающий упаковку (например, -PBF для версии без свинца, хотя современные поставки уже все RoHS).

Аналоги и совместимые модели: Поскольку TIP115 является частью популярной серии TIP11x, вот список совместимых и аналогичных компонентов:

| Модель | Тип | Vceo (В) | Ic (А) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | TIP115 | PNP | 60 | 5 | Ваш запрос | | TIP116 | PNP | 80 | 5 | Аналог с большим напряжением | | TIP117 | PNP | 100 | 5 | Аналог с еще большим напряжением | | TIP110 | NPN | 60 | 5 | Комплементарная пара (NPN) к TIP115 | | TIP111 | NPN | 80 | 5 | Комплементарная пара (NPN) | | TIP112 | NPN | 100 | 5 | Комплементарная пара (NPN) | | TIP125 | PNP | 60 | 8 | Более мощный аналог (8А) | | TIP145 | PNP | 60 | 10 | Еще более мощный аналог (10А) |

Зарубежные аналоги (не Microchip):

• STMicroelectronics: TIP115, TIP116, TIP117
• ON Semiconductor (onsemi): TIP115, TIP116, TIP117
• Bourns: TIP115
• Central Semiconductor: TIP115

💡 Рекомендации по применению

1. Радиатор: При токах выше 1-1.5 Ампер обязательно используйте радиатор. Корпус TO-220 позволяет рассеивать до 65 Вт, но только с хорошим теплоотводом.
2. Резистор базы: Хотя транзистор имеет встроенные резисторы, для надежного запирания и управления может потребоваться внешний резистор между базой и эмиттером (для предотвращения ложного открывания).
3. Защита: Встроенный диод защищает от индуктивных выбросов, но для мощных двигателей или реле с большой индуктивностью рекомендуется ставить дополнительный внешний диод (например, 1N4007).
4. Скорость: Дарлингтоновские транзисторы медленнее обычных биполярных из-за низкого быстродействия составной схемы. Не используйте их для высокочастотной ШИМ (выше 1-2 кГц) без специальных мер.