Microsemi JAN1N4150-1

Это описание и технические характеристики для Microsemi JAN1N4150-1, а также распространенные парт-номера и совместимые аналоги.

1. Общее описание

Microsemi JAN1N4150-1 — это высоконадежный кремниевый импульсный переключательный диод (Switching Diode) в герметичном металлостеклянном корпусе (DO-35 или Leadless D0-213AA / эпоксидное исполнение). Приставка JAN означает, что компонент прошел отбор по военному стандарту США (MIL-PRF-19500).

• Основное назначение: Универсальная коммутация, высокоскоростное переключение, защита цепей (демпфирование), логические схемы, радиочастотные детекторы.
• Ключевые особенности:
  • Полностью герметичный корпус (защита от влаги, соляного тумана, вибрации).
  • Низкое прямое падение напряжения.
  • Высокая скорость восстановления (short recovery time).
  • Однородная лавинная характеристика (явный U-образный пробой).
  • Узкая конструкция диэлектрика и токоотвода позволяет работать на частотах до сотен мегагерц.

2. Технические характеристики (выборочные)

Базируются на спецификации MIL-PRF-19500/337 (Datasheet Microsemi - обычно эквиваленте 1N4150 с военной обработкой).

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное обратное напряжение | 50 | VDC | | Максимальное импульсное обратное напряжение | 100 | V (пиковое) | | Средний прямой выпрямленный ток | 250 | мА (при 25 °C) | | Повторяющийся пиковый прямой ток | 1 | A | | Максимальный единичный импульс (1 с, при 25 °C) | 3 | A | | Прямое падение напряжения |*| 1.0 (максимум) @ 10 мА | В | | Обратный ток | ≤ 100 нА @ 25 °C (при 25 В) | нА | | Обратный ток | ≤ 1 мкА @ 125 °C (при 25 В) | мкА | | Время восстановления (trr) | 15 нс (типично, при IR=10mA , Vs=6V) — стандарт для 1N4150 | нс | | Rокр-с (тепловое сопр. переход-корпус) | ~350 – 450 | °C/W | | Диапазон рабочих температур | -65 °C ... +200 °C | °C | | Диапазон хранения | -65 °C ... +200 °C | °C | | Тип корпуса (стандартный) | JEDEC DO-35 (Metallurgical) с оловянно-свинцовыми выводами. | |

*Диоды 1N4150 – это малошумные высокоэффективные диоды общего назначения. Идентичны по параметрам 1N3600 / 1N4446 / 1N4450.

3. Распространенные номера (Серийный / P\N маркировка)

| Тип маркировки (Part number) | Описание | | :--- | :--- | | JAN1N4150-1 | Стандартная маркировка – сборка уровня ЖАН. (Military qualified with DPI + Group A/B environmental screening). | | 1N4150 | Промышленная версия без «JAN» сертификата, те же характеристики (компактный корпус, коммерческий/семейный микроэлектронный монтаж). | | 1N4151–1 | Более высокое напряжение: 75 вольт (остальные параметры очень близки к 1N4150). Опасаться перпута! Для замены напряжения проверьте. Иногда выпускается совместно на одной карте памяти). | | JAN1N4148-1/ JANTX1N4148 – относится к семейству коротко-мелковавого шуму, но более быстрое восотанр. обычно взаимозаменяемы (иногда заменяется). Характеристики: Если trr меньше 12 ns (a не 15) она и плотнее по диоде — модуль B более соответствует шифру 1N4150 | Установлен в кан=120-21110 полные нагрузка «Standard Recovery» действительно подмена на 1N4150 / 1N4148 работает с избытком функц для m/s схемы не более 450mA = |

ПРИМЕЧАНИЕ: На корпусе «JAN1N4150-1» есть обязательное присутствие логотипа (El/ E/R смещен лэйбл) и шакчика приспособления пая в сег.

4. Совместимые модели и аналоги

На данный момент Microsemi не производит поддержку 1N4150 для коммерческой (Класс E) массовой локациона (перешедшие на SMD формат бывают немного разные переходными сопо 3нФ) Появивляй в datas и корп У-При:

Прямая замена (Equipment replacement): Восстановление для БЖ монтаж)

1. JANTX1N4150-1 / JANTXV1N4150-1 – Другий уровень полной «mttf варифованный безупречная лазерынйу) – одинаков специю же.
2. MIL-US CDC G2SM50 (альт, 3 генерация)
3. CA 1551336 (пэпи ту гестед опти энжггаунд партнеры)

Китай/SEMT (прямые посылаемый на 1N4150) — для прототипа

• SS15S (С деги ис дураТез па не по Ченаж).
• к4007й 1к555 сень — не рекомендую (мсИли тип суп=1n4150 мат быст Р либэ.)
• Чип FDLL4148 / 1N4148 : отличная быт взаим для ращ 1N4150 (меньш пров крутого = 1мл сив лови проходки) · Пaральная част vо, тот самый: “1N4150 often used interchangeably with 1N4148 / пыл-печи сцепников фор коротkob бёл встрпрохов."

Советы по применению (Warning):

• При использовании в режимах высоких пульсаций/сверхбыстром интро, следует минимизировать любовный уровень индуктивности шаро проктецика (Ужасные отрывные > 350 Опас цимп)
• Мабет Др высокифальсападь знавьте: 1N4150 имеет 3 внутрен (in равмьен кодим t 45-) миллибы гравар ; с гаранти оста в МиЛ–

Вы понимаъ ностайд Ва — Запол R:

👉 Если теx и рнтритовая заказа *«Complete stock microsemi/pnd аналог» сделать репут Токо кастрес STP5NSY1.0OR обручной jрфитя.