Microsemi APT50M60JVR

Microsemi (Microchip) APT50M60JVR — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по технологии FREDFET (Fast Recovery Epitaxial Diode MOSFET). Прибор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых приложениях, где требуются высокие скорости переключения и низкие потери.

Описание

APT50M60JVR — это высоковольтный N-канальный MOSFET с изолированным затвором, интегрированным быстрым восстанавливающимся диодом (body diode с малым временем обратного восстановления). Корпус — ISOTOP® (изолированный модуль), что позволяет монтировать его непосредственно на радиатор без дополнительной изоляции. Отличается низким сопротивлением открытого канала, высокой коммутируемой мощностью и стойкостью к лавинному пробою.

Ключевые особенности:

• Технология FREDFET — быстрый внутренний диод
• Изолированный корпус ISOTOP (2500 V изоляция)
• Низкий заряд затвора
• Высокая устойчивость к dv/dt и лавинным режимам
• Работа при высоких температурах (до +150 °C)

Технические характеристики APT50M60JVR

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (FREDFET) | | V_DS (напряжение сток-исток) | 600 В | | I_D (ток стока, непрерывный, Tc=25 °C) | 50 A | | I_D (Tc=100 °C) | ~31 A | | I_DM (импульсный ток) | 200 A | | R_DS(on) @ 25 °C | 0.12 Ом (тип.), 0.14 Ом (макс.) | | R_DS(on) @ 150 °C | ~0.28 Ом | | V_GS(th) (пороговое напряжение) | 3…5 В | | V_GS (макс.) | ±30 В | | Qg (полный заряд затвора) | ~200 нКл | | Ciss | ~6000 пФ | | Coss | ~1100 пФ | | Crss | ~150 пФ | | t_d(on) / t_r | ~20 нс / ~30 нс | | t_d(off) / t_f | ~55 нс / ~30 нс | | Trr диода | ~160 нс (FRED) | | Мощность рассеяния P_D (Tc=25 °C) | 460 Вт | | Рабочая температура перехода | −55…+150 °C | | Изоляция корпуса | 2500 В RMS | | Корпус | ISOTOP (SOT-227-подобный, 4 контакта) |

Парт-номера (part numbers)

• APT50M60JVR — базовый артикул (ISOTOP-корпус, FREDFET)
• APT50M60JVRG — RoHS-совместимая версия (буква G на конце часто обозначает экологичную упаковку)
• APT50M60JVFR — вариант с улучшенными характеристиками диода (family-позиционирование FRED)

Производитель сейчас — Microchip Technology (после покупки Microsemi в 2018 г.). Артикулы могут поставляться под логотипом Microchip, при этом электрически это те же приборы.

Совместимые и аналогичные модели

Внутри линейки APT (семейство 600 В, 50 A, ISOTOP)

• APT50M60JN — вариант в TO-264
• APT50M60BN — в TO-247
• APT50M50JVR — аналог с меньшим R_DS(on) (отличается технологией)
• APT60M60JVR — 600 В / 56 A
• APT40M60JVR — 600 В / 40 A

Аналоги других производителей (близкие по параметрам):

• IXYS / Littelfuse: IXFN50N60, IXFN48N60P, IXFN44N60
• Infineon: SOT-227 аналоги серии CoolMOS (напр. SPW47N60)
• STMicroelectronics: STY60NM60 или аналогичные ISOTOP
• Toshiba: TK50E60 / аналоги 600 В MOSFET

Важно: precise direct replacement зависит от схемы — если ключевую роль играет быстрый диод (FREDFET-особенность), обычный MOSFET с медленным body diode может не подойти (например, в мостовых и инверторных схемах с жёсткой коммутацией).

Типовые применения

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварка (инверторные сварочные аппараты)
• Инверторы солнечных модулей (например, Micro-инверторы)
• Приводы двигателей (PWM-инверторы)
• Резонансные преобразователи (LLC)
• Системы индукционного нагрева
• Buck/boost преобразователи большой мощности

Если нужно — могу свести параметры APT50M60JVR и ближайших аналогов в сравнительную таблицу или подсказать замену под конкретную задачу (например, для сварочного инвертора или блока питания).