Microsemi APT37F50B — Описание и характеристики

Общее описание

APT37F50B — это высоковольтный N-канальный MOSFET производства компании Microsemi (ранее Advanced Power Technology, APT). Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах и других силовых электронных приложениях, где требуются высокое напряжение пробоя и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Относится к семейству POWER MOS 7® — это фирменная технология Microsemi, обеспечивающая низкое значение RDS(on) на единицу площади кристалла, высокую скорость переключения и устойчивость к лавинному пробою.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Технология | POWER MOS 7® (Fast Body Diode — суффикс «B») | | Напряжение сток-исток VDSS | 500 В | | Ток стока ID (Tc = 25 °C) | 37 А | | Ток стока ID (Tc = 100 °C) | ~23 А (типично) | | Сопротивление RDS(on) | 0,13 Ом (макс. при VGS = 10 В, ID = 18,5 А) | | Сопротивление RDS(on) при 25 °C | ~0,13 Ом | | Заряд затвора Qg | ~ 60–70 нКл (типично) | | Ёмкость входа Ciss | ~ 3000–3500 пФ | | Напряжение затвор-исток VGS max | ±30 В | | Пороговое напряжение VGS(th) | 2,0–4,0 В | | Сопротивление затвора Rg | ~ 1,0–1,5 Ом (внутреннее) | | Время нарастания tr | ~ 15–20 нс | | Время спада tf | ~ 15–25 нс | | Макс. температура перехода Tj | 150 °C | | Рассеиваемая мощность PD (Tc = 25 °C) | 300 Вт | | Корпус | TO-247 (APT37F50B) / возможен TO-264 в других вариантах | | Тип диода | Fast Body Diode (встроенный) |

Особенности

• Высокое напряжение пробоя — 500 В
• Низкое RDS(on) — 0,13 Ом
• Быстрый встроенный диод (Fast Recovery Body Diode)
• Устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Energy Rated)
• Высокая скорость переключения
• Соответствие RoHS (в новых ревизиях)
• Корпус TO-247 для эффективного отвода тепла

Парт-номера (Part Numbers)

Транзистор поставляется под несколькими обозначениями:

| Part Number | Корпус | Примечание | |---|---|---| | APT37F50B | TO-247 | Базовая версия | | APT37F50BN | TO-247 | Улучшенная версия / новая ревизия | | APT37F50B2 | TO-247 | Вариант с улучшенными параметрами | | APT37F50S | TO-268 (D3PAK) | Поверхностный монтаж | | APT37F50B-ND | — | Обозначение у дистрибьюторов (Digi-Key и др.) | | APT37F50B2-ND | — | Аналогично |

Примечание: наличие конкретных парт-номеров зависит от дистрибьютора и года выпуска. Оригинальные datasheet-обозначения — APT37F50B и его модификации с суффиксами (N, S, 2 и т.д.), где суффикс указывает на корпус или ревизию.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги того же класса (500 В, ~35–40 А, TO-247)

| Модель | Производитель | Примечание | |---|---|---| | IRFP460 | Infineon / IR | 500 В, 20 А, 0,27 Ом — слабее по току | | IRFP450 | Infineon / IR | 500 В, 14 А | | IRFP460A | Vishay | 500 В, 20 А | | IXFH40N50 | IXYS (Littelfuse) | 500 В, 40 А, RDS(on) ~0,12 Ом | | IXFH36N50 | IXYS | 500 В, 36 А | | IXFN36N50 | IXYS | 500 В, 36 А | | SPW35N50 | Infineon | 500 В, 35 А | | STP40NF50 | STMicroelectronics | 500 В, 40 А | | FQA40N50 | onsemi / Fairchild | 500 В, 40 А | | HUF75645P3 | onsemi | 450 В, 75 А (ближе по току) |

Более мощные/современные замены

• APT40F50B — 500 В, 40 А (Microsemi/Microchip) — прямое обновление
• APT37M50B — 500 В, 37 А, сниженные потери
• Microchip MSC040SMA120B — SiC MOSFET (600 В) — современная альтернатива для высоких частот
• MSC080SMA120B — SiC, 1200 В

Рекомендация по замене

При замене важно учитывать:

1. Корпус (TO-247 — наиболее распространённый)
2. Напряжение пробоя (не ниже 500 В, лучше ≥ 550 В для запаса)
3. Ток (≥ 37 А)
4. RDS(on) (аналогичное или ниже)
5. Тип диода (Fast / Ultra-Fast Body Diode — для инверторов и Half-Bridge критично)
6. Заряд затвора Qg — для оценки потерь switching
7. Avalanche rating — если есть в схеме индуктивные нагрузки

Если есть задача стояла драйвера затвора (Gate Driver) или схемы включения — напишите, подберу совместимые по параметрам аналоги или предложу SiC-замену с сохранением корпуса.