Microsemi APT34N80B2C3G — Высоковольтный N-канальный MOSFET

Описание

APT34N80B2C3G — это высоковольтный N-канальный MOSFET (полевой транзистор), производимый компанией Microsemi Corporation (ныне часть Microchip Technology). Транзистор относится к серии POWER MOS 7® и предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых приложениях, требующих высокого напряжения пробоя и низких потерь.

Прибор выполнен по технологии CoolMOS™-подобной структуры (SUPERJUNCTION-тип) с интегрированным быстродействующим диодом для работы в режиме жёсткой коммутации. Поставляется в корпусе TO-247 (иногда маркируется как TO-264 в зависимости от партии).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный MOSFET | | V(DSS) — напряжение сток-исток | 800 В | | I(D) — ток стока (постоянный, T_c = 25°C) | 34 А | | I(DM) — импульсный ток стока | ~136 А | | R(DS(on)) — сопротивление открытого канала | 0.19 Ом (тип.), 0.25 Ом (макс.) | | V(GS(th)) — пороговое напряжение затвор-исток | 2.0–4.0 В | | Q(g) — полный заряд затвора | ~185 нК (тип.) | | C(iss) — входная ёмкость | ~5.5 нФ | | C(oss) — выходная ёмкость | ~700 пФ | | C(rss) — проходная ёмкость | ~45 пФ | | T(j) — температура перехода | до +150 °C | | Корпус | TO-247 | | Рассеиваемая мощность P(D) | ~460 Вт (T_c = 25°C) | | Тип диода | Быстровосстанавливающийся (body diode) |

Особенности:

• Низкое R(DS(on)) для своего класса напряжения
• Устойчивость к лавинному пробою (UIS rated)
• Быстрое переключение
• Высокая лавинная энергия (E_AS)

Парт-номера (Part Numbers)

В семействе APT34N80 допускаются различные варианты поставки:

• APT34N80B2C3G — базовый корпус TO-247, без свинца (RoHS), G = Green
• APT34N80B2C3G-L — вариант упаковки (или вариант с другими PCB-переходами)
• APT34N80B2C3 — стандартное исполнение (иногда без Green-маркировки)
• APT34N80B2FLLG — вариант с упрощёнными характеристиками (иногда в линейке замен)
• APT34N80J — вариант в корпусе ISOTOP / либо другой M-тип корпуса
• APT34N80S — вариант в корпусе D3PAK / TO-268 (поверхностный монтаж)

Технологические двойники/аналоги из серии POWER MOS 7:

• APT34N80B
• APT34N80B2
• APT34N80B2C

G-суффикс указывает на соответствие RoHS и экологически чистое исполнение.

Совместимые и эквивалентные модели

Прямые аналоги от других производителей (800 В, ~30–35 А, TO-247):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon | SPW35N60C3 / SPW47N60C3 | Близкий класс, другая технология | | Infineon | IPW60R190C6 | CoolMOS C6, 600 В | | STMicroelectronics | STW55NM60ND | 600 В класса | | STMicroelectronics | STP34NM60N | Полный аналог по току | | Toshiba | TK38J60W | 600 В superjunction | | ON Semi (Fairchild) | FCA36N60NF | 600 В | | IXYS | IXFK32N80P | Прямой аналог 800 В | | Microchip (Microsemi) | APT34N80B2FLLG | Модернизированная версия | | Microchip | APT36N80B2C3 | Родственная модель, близкая серия |

Для напряжений строго 800 В наилучшими заменами являются:

• APT34N80B (без G) — предыдущая ревизия
• APT32N80B2C3 — младшая модель (ме́ньший ток)
• APT36N80B2C3G — старшая модель (бо́льший ток)
• IXFK32N80P (IXYS/Littelfuse)
• IXTH30N80 (IXYS, аналог меньшей мощности)
• SCT30N120G — SiC вариант, но не прямозаменим по напряжению затвора

Типовые применения

• Импульсные источники питания (SMPS), включая AC-DC и DC-DC
• Инверторы для систем возобновляемой энергетики (солнечные, ветровые)
• Сварочные аппараты (инверторного типа)
• Балласты для газоразрядных ламп
• Управление двигателями (PFC каскадов)
• Зарядные устройства и LLC-резонансные схемы

⚠️ Примечание: Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology в 2018 г., данная модель может маркироваться как Microchip. Перед прямым подбором замены сверяйтесь с datasheet, особенно по заряду затвора, R(DS(on)) и параметрам body-диода.

Если нужно, могу составить таблицу сравнения конкретных альтернатив по ключевым параметрам (V_DSS, R_DS(on), Q_g) или построить схему подбора.