Microsemi APT30M61SFLL — Описание и характеристики

📋 Описание

APT30M61SFLL — это высоковольтный N-канальный MOSFET производства Microsemi Corporation (ныне часть Microchip Technology), из серии POWER MOS 7®. Транзистор предназначен для применений с высокими требованиями к надёжности: импульсные источники питания, инверторы, драйверы двигателей, схемы с повышенным напряжением.

Корпус TO-264 обеспечивает отличный теплоотвод. Маркировка "LL" — low leakage (низкий ток утечки), что важно для военных/аэрокосмических и ответственных применений.

Ключевые особенности:

• Технология POWER MOS 7® (низкое сопротивление открытого канала)
• Высокая скорость переключения
• Низкий заряд затвора (быстрое управление)
• Устойчив к лавинному пробою (Avalanche Energy Rated)
• Работа при высоких температурах

⚙️ Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-Channel MOSFET (обогащённый) | | V_DSS (напряжение сток-исток макс.) | 300 В | | V_GS (напряжение затвор-исток макс.) | ±30 В | | I_D (постоянный ток, T_C=25°C) | 79 А | | I_DM (импульсный ток) | ~316 А | | R_DS(on) (сопротивление открытого канала) | 61 мОм при V_GS=10 В, I_D=39.5 А | | V_GS(th) (пороговое напряжение) | 2…4 В | | Q_g (общий заряд затвора) | ~125 нКл | | Q_gs / Q_gd | ~30 нКл / ~60 нКл | | C_iss / C_oss / C_rss | ~9100 / 1470 / 265 пФ | | t_d(on) / t_r / t_d(off) / t_f | 15 / 45 / 25 / 15 нс (тип.) | | E_AS (энергия лавинного пробоя) | ~800 мДж | | P_D (рассеиваемая мощность, T_C=25°C) | 568 Вт | | R_θJC (тепловое сопротивление переход-корпус) | 0.35 °C/Вт | | T_J (макс. температура перехода) | 150 °C |

🔢 Парт-номера (Part Numbers)

Полный номер и его модификации:

• APT30M61SFLL — базовый вариант (TO-264, low leakage)
• APT30M61SFLLG — возможно с суффиксом «G» (green / RoHS-совместимость у Microchip)
• APT30M61SFLL-E — испытательный/отбракованный вариант (vision)
• APT30M61SFLLN — отличается упаковкой/маркировкой
• APT30M61B2FLL — версия в корпусе T-MAX (если применимо)

⚠️ Точный список суффиксов/упаковки уточняйте по datasheet от Microchip: производитель нередко меняет обозначения.

Семейство похожих MOSFET той же серии:

• APT30M61JFLL (TO-264)
• APT30M61BFLL (T-MAX)
• APT30M61SFLL (TO-264, base)

🧩 Совместимые модели / аналоги

Прямых «pin-to-pin» аналогов по V_DSS ≥ 300 В и R_DS(on) ≈ 60 мОм в TO-264:

От Microchip/Microsemi:

• APT30M60JFLL
• APT30M70BFLL
• APT30F60BFLL

Конкурентные MOSFET 300 В, ≥70 А, 60–80 мОм:

• Infineon: IPW60R070C6 (600 В, но похожий GAIN) — прямым не является, смотрите IXFX/IRFP
• IR / Infineon IRF: IRFP4868 (300 В, 88 А, 31 мОм)
• STMicroelectronics: STW88N30 (300 В, 88 А, 30 мОм)
• Toshiba: TK60V300W (300 В)
• IXYS (Littelfuse): IXTH 76N30L, IXFN/IXTQ76N30L (300 В)
• onsemi: FCA76N30, ISC быстры й эквивалент

Прямые схемо-заменители (закрыть то же назначение):

• Infineon IPW90R340C3 — 900 В/15А — НЕ прямое, для другого класса
• IXTQ76N25T / IXTQ76N30L (300 В, TO-264) — близкий аналог от Littelfuse/IXYS

📁 Типовые применения

• Импульсные источники питания (SMPS, hard-switched, bridges)
• Инверторы DC–AC (PV, UPS, сварочное оборудование)
• Драйверы BLDC/PMSM двигателей
• Приложения с ШИМ и нагрузками большой индуктивности
• Авиакосмические и военные схемы (благодаря «LL» варианту)

Примечание: приведённые параметры составлены по типовому datasheet серии APT30M61. Для проектной документации рекомендуется использовать официальный «Datasheet: APT30M61SFLL/SFLL» от Microsemi / Microchip — там указаны абсолютные максимумы, графики и точные режимы измерения.

Хотите, чтобы я оформил это как таблицу Excel/CSV или подготовил сравнение конкретных аналогов (например, по SOA или gate charge)?