Microsemi APT30M19JVFR — Описание и характеристики

Общее описание

APT30M19JVFR — это высоковольтный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) производства компании Microsemi (ныне входит в состав Microchip Technology). Транзистор относится к серии POWER MOS V® — фирменной технологии, обеспечивающей низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения при работе с высокими напряжениями.

Корпус ISOTOP® (изолированный) позволяет монтировать транзистор непосредственно на радиатор без дополнительной изоляции, что существенно упрощает конструкцию силовых модулей и снижает тепловое сопротивление.

Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, драйверах двигателей и других силовых схемах.

Технические характеристики

Основные параметры

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Технология | POWER MOS V® | | Корпус | ISOTOP® (SOT-227) | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Ток стока (I_D) при 25°C | 79 А (по некоторым datasheet — до 85 А) | | Ток стока (I_D) при 100°C | ~55 А | | Сопротивление открытого канала R_DS(on) | < 19 мОм (при V_GS = 10 В) | | Заряд затвора Q_g | ~145 нКл (тип.) | | Крутизна g_fs | ~40 См | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 2–4 В |

Ограничительные параметры

| Параметр | Значение | |---|---| | V_GS (макс.) | ±30 В | | Рабочая температура перехода T_j | –55…+150 °C | | Тепловое сопротивление R_th(j-c) | 0.45 °C/Вт | | Ток импульсный I_DM (10 мкс) | ~320 А | | Рассеиваемая мощность P_D (T_c = 25°C) | ~500 Вт |

Тепловые характеристики

• R_th(j-c) = 0.45 °C/Вт
• R_th(c-s) = 0.2 °C/Вт (изолированный корпус — соединение с радиатором через термопасту)

Ёмкости затвора (тип.)

| Параметр | Значение | |---|---| | C_iss | ~7.5 нФ | | C_oss | ~1.5 нФ | | C_rss | ~500 пФ |

Скорости переключения

• Время нарастания t_r: ~20 нс
• Время спада t_f: ~25 нс
• t_d(on): ~25 нс
• t_d(off): ~60 нс

Преимущества

• Малый заряд затвора → быстрый отклик и малые потери переключения
• Низкое R_DS(on) → низкие потери проводимости и малое выделение тепла
• Полностью изолированный корпус ISOTOP® (выдерживает до 2500 В)
• AVALANCHE-стойкость (расширенный safe operating area / UIS ruggedness по обмотке)
• Устойчив к защёлкиванию (dLv/dt устойчивость)
• Рабочая скорость переключения до ~1 МГц

Парт-номера и варианты

Точная уникальная маркировка:

• APT30M19JVFR — базовый парт-номер (ISOTOP, изолированный)

Возможные близкие/аналогичные или исторически пересекающиеся позиции серии APT (300 В / ~19 мОм):

• APT30M19JFLL — родственная модификация (L = low gate voltage / с отличными опциями затвора)
• APT30M19JVFR — «V» = Vertical structure
• APT30M19JVFR могут присутствовать эквиваленты от Microchip: артикул с суффиксом «G» или измененным буквенным индексом упаковки в новой системе Part Number (после перехода на базу Microchip)

⚠️ Точные «сестринские» парт-номера желательно сверять по актуальному Microchip Product Page — линейка APT от 300 В включает также APT30M*, APT40M*, APT50M* (40–600 В), отличающихся напряжением и R_DS(on), но совместимых по корпусу и схемотехнике.

Совместимые / эквивалентные модели

Прямые аналоги (N-ch MOSFET, ~300 В, ISOTOP, схожие параметры):

| Модель | Производитель | Примечание | |---|---|---| | APT30M19JVFR | Microsemi / Microchip | Базовая | | APT30F50B | Microsemi | Другая серия, схожее применение | | APT50M70JVFR | Microsemi | Более высокое напряжение | | IXFN80N30 | IXYS | IXFN80N30 — 300 В, 80 А, ISOTOP | | IXFN82N30 | IXYS | близкий параметр | | IRF* серия в SOT-227 модулях | Infineon | возможная замена с проверкой R_DS(on)/R_th | | STE250NS10 | STMicro | проверять по компонентам | | Другие POWER MOS V модули SOT-227 | --- | при совпадении параметров |

Из-за различий в скорости переключения, затворном заряде и крутизне обязательно проводить проверку эквивалентности в конкретной схеме (особенно в резонансных преобразователях и высокочастотных инверторах).

Применения

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно высокомощные >1 кВт
• Сварочные инверторы
• Мостовые и полумостовые схемы
• Драйверы бесколлекторных DC и AC-двигателей
• Резонансные преобразователи
• Зарядные устройства большой мощности

Если нужно, могу дополнительно:

1. Составить таблицу сравнения с ближайшими аналогами (IXFN, IRF, ST).
2. Порекомендовать замену под конкретную вашу схему.
3. Указать актуальный Microchip Part Number и названия эквивалентов в их системе обозначений. Скажите, в каком направлении углубить?