Microsemi APT30GN60BDQ2G — IGBT-транзистор

Описание

APT30GN60BDQ2G — это N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с низким напряжением насыщения, производства компании Microsemi (ныне в составе Microchip Technology). Прибор выполнен по технологии Non-Punch Through (NPT) с тонкой пластиной и предназначен для работы в схемах силовой электроники с высокими требованиями по эффективности и надёжности.

Транзистор отличается:

• Очень низким напряжением коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Vce(sat)) — что снижает статические потери;
• Высокой скоростью переключения и малой энергией переключения — снижение динамических потерь;
• Положительным температурным коэффициентом Vce(sat) — упрощает параллельное включение;
• Встроенным антипараллельным FRED (Fast Recovery Epitaxial Diode) — «BD» в маркировке означает наличие соупряжённого быстрого диода;
• Изолированным корпусом D2PAK (TO-263) — упрощает монтаж и теплоотвод.

Типичные применения: импульсные источники питания (SMPS), сварочные инверторы, инверторы для электродвигателей, UPS, схемы PFC, солнечные инверторы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | |---|---|---| | Тип прибора | IGBT N-ch, NPT + соупряжённый FRED | | | Корпус | D2PAK (TO-263), изолированный | | | Напряжение коллектор-эмиттер Vces | 600 В | | | Ток коллектора Ic (Tc=25°C) | 60 А | | | Ток коллектора Ic (Tc=100°C) | ~ 30 А | огранич. температурой | | Импульсный ток Ic(pulsed) | 90 А | | | Напряжение Vce(on) при Ic=30 A, Vge=15 В | тип. 1,7 В / макс. 2,0 В | при 25 °C | | Пороговое напряжение Vge(th) | 4,5…6,5 В | | | Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | ±20 В | | | Заряд затвора Qg | ~ 90 нКл | при Vge=15 В | | Время нарастания tr | ~ 35 нс | индуктивная нагрузка | | Время спада tf | ~ 110 нс | | | Время задержки вкл./выкл. | ~ 25 / 130 нс | | | Энергия переключения Eon/Eoff | ~ 0,6 мДж / 0,7 мДж | при 400 В, 30 А, 25 °C | | Внутренний диод (FRED) | trr ≈ 35 нс, Vf ≈ 1,8 В | | | Ptot (Tc=25 °C) | ~ 250 Вт | | | Рабочая температура Tj | –55…+150 °C | | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) | ~ 0,5 °C/Вт | IGBT |

(Указанные значения — типичные. Точные параметры уточняйте в datasheet Microsemi/Microchip APT30GN60BDQ2G.)

Парт-номера (Ordering Information)

• APT30GN60BDQ2G — основной парт-номер, трубка/туба с компонентами, корпус D2PAK, RoHS.
• APT30GN60BDQ2G (packing suffix: часто с «G» = green/RoHS)
• APT30GN60B2DQ2G / APT30GN60SQ2G / APT30GN60SDQ2G — варианты в других корпусах из той же линейки (TO-247, TO-264 и т.д.).
• Внутренние обозначения Microsemi:器件 base P/N APT30GN60BDQ2, packaging-code G = tube, TR = tape&reel.

Полностью семейство серии включает:

• APT30GN60B — базовая версия с FRED
• APT30GN60BDQ2G — D2PAK, low Vce(sat), FRED
• APT30GN60BG — TO-247
• APT30GN60SG — TO-264 (быстрая серия)
• APT30GN60S — TO-268 (быстрая серия)

Рекомендуется уточнять актуальные парт-номера у Microchip, поскольку часть — NRND (Not Recommended for New Designs) после перехода под Microchip.

Совместимые / взаимозаменяемые модели

Прямые аналоги (600 В IGBT с быстрым диодом того же класса):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon | IKW50N60H3 / IKW50N60T | очень близкие параметры (600 В, 50–60 А, FRD) | | STMicroelectronics | STGW60V60DF / STGW50HF60S | аналогичный диапазон | | ON Semi / Fairchild | FGL60N60 / HGTG30N60A4D | такой же класс | | Toshiba | GT60N467 / GT50J326 | 600 В, 50–60 А | | IXYS / Littelfuse | IXGK / IXYH, например IXYH60N65C3 | 600–650 В | | Mitsubishi | CM600HA-24H (другой класс) | — | | Fuji | серия R/H, 600 В | — |

Внутренние эквиваленты Microsemi:

• APT30GN60B / APT30GN60BG (TO-247)
• APT30GN60S / SDQ2G (TO-264/D3PAK)
• APT30XN60 / APT40GF60 — другие IGBT того же класса

Примечание при замене:

При подборе замены обязательно сравнить:

1. Vces ≥ 600 В.
2. Ic (@100 °C) ≥ номинала схемы.
3. Vce(sat) — при большем напряжении транзистор может перегреваться.
4. Наличие встроенного FRED (версии B — большая скорость восстановления).
5. Корпус и схему цоколёвки (pin-to-pin замена: D2PAK ↔ D2PAK, TO-247 ↔ TO-247).
6. Тепловое сопротивление Rth(j-c) и требования к охлаждению.
7. Возможно уменьшение точки Raynolld (авога)