Microsemi Apt25gt120brg — IGBT-транзистор

Описание

APT25GT120BRG — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Microsemi Corporation (ныне — подразделение Microchip Technology). Прибор относится к семейству GT-серии (Generation T) с технологией Non-Punch-Through (NPT) и рассчитан на применение в мощных высоковольтных схемах: инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и системах индукционного нагрева.

Корпус — TO-247 (изолированный вариант с индексом «B» — это TO-247 с улучшенной конструкцией), тип выводов — стандартный для силовых IGBT с обратным диодом (в некоторых модификациях), что обеспечивает удобство монтажа на радиатор и отвод тепла.

⚠️ Важно: префикс «APT» — это исторический бренд Advanced Power Technology, приобретённый Microsemi. Поэтому партномера могут фигурировать как под Microsemi, так и под Advanced Power Technology.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | IGBT (N-channel) | | Технология | NPT (Non-Punch-Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер Vces | 1200 В | | Ток коллектора Ic (Tc=25°C) | 25 А | | Ток коллектора Ic (Tc=100°C) | ~13–15 А | | Импульсный ток Icm | ~75–100 А | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ~2,0–2,5 В (при Ic=25 А) | | Пороговое напряжение Vge(th) | ~4,0–6,0 В | | Макс. Vge | ±20 В | | Время включения / выключения | ~55 нс / ~250 нс (типовые) | | Общий заряд затвора Qg | ~70–90 нКл | | Входная ёмкость Cies | ~1,5–2,0 нФ | | Рассеиваемая мощность Ptot | ~180–220 Вт (при Tc=25°C) | | Рабочая температура перехода Tj | −55…+150 °C | | Корпус | TO-247 | | Тип перехода | IGBT с обратным диодом (в модификациях с индексом) |

Точные значения следует уточнять в datasheet конкретной ревизии — параметры могут незначительно меняться в зависимости от даты выпуска.

Парт-номера (маркировки)

В семействе встречаются следующие обозначения:

| Парт-номер | Описание | |---|---| | APT25GT120BRG | Основной партномер, TO-247 (изолированный) | | APT25GT120B | Модификация без индекса «RG» | | APT25GT120BN | Вариант с p — каналом/или иной конструкцией корпуса | | APT25GT120BR | Более ранняя ревизия | | APT25GT120JR | Вариант в другом корпусе (JEDEC TO-247AC) | | APT25GT120JRG | Ревизия в TO-247AC с логотипом APT | | APT25GT120KRG | Вариант в корпусе TO-220 (если применимо) |

🔎 Примечание: Microsemi/Microchip периодически меняет обозначение корпусных опций (RG = RoHS + Green, J = TO-247AC, B = TO-247 изолированный). Точный список доступен в Microchip ordering information.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги от Microsemi:

| Модель | Отличие | |---|---| | APT25GT120B | Базовая версия | | APT30GT120BRG | Больший ток (30 А) | | APT20GT120BRG | Меньший ток (20 А) | | APT40GT120BRG | 40 А, 1200 В | | APT50GT120BRG | 50 А, 1200 В | | APT25GP120BRG | Другой тип IGBT (Punch-Through) |

Аналоги от других производителей (близкие параметры: 1200 В, ~20–30 А, TO-247):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon | IKW20N120 / IKW25N120 | Очень близкие параметры | | STMicroelectronics | STGW25NC120 / STGW30NC120 | 1200 В, 25–30 А | | ON Semiconductor | FGA25N120 / FGL25N120 | 1200 В, 25 А, популярный аналог | | Toshiba | GT25J120 / GT30J120 | 1200 В IGBT | | IXYS | IXGH25N120 / IXGH30N120 | 1200 В IGBT | | Fuji Electric | 2MBI25-120 | Модульный вариант |

Области применения

• Сварочные инверторы
• Индукционный нагрев
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Приводы и преобразователи частоты
• Системы зарядки/разрядки накопителей
• Схемы с жесткой коммутацией (hard switching)

Если нужно, могу оформить datasheet-выжимку в виде таблицы для вставки в техническую документацию, либо подобрать полный аналог 1:1 по параметрам и корпусу под конкретную задачу (с учётом доступности на складах).