Microsemi APT20GT60BRDQ16

Это Microsemi APT20GT60BRDQ16 — это высоковольтный, скоростной IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным диодом. Он изначально производился компанией Microsemi (ныне часть конгломерата Microchip Technology) и относится к серии POWER MOS 7.

Данный компонент оптимизирован для работы в жестких условиях (военная, аэрокосмическая и промышленная аппаратура) с высокими требованиями к надежности и устойчивости к коротким замыканиям (Short Circuit Rated, S). Буква D в названии указывает на наличие встроенного быстрого обратного диода, а Q16 — на версию с улучшенными характеристиками Q (часто означает прошедший дополнительный отбор по параметрам включения/выключения).

Технические характеристики (Datasheet Summary)

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Тип корпуса | TO-247 (3 вывода) | | Тип транзистора | N-канальный IGBT, Trench Field Stop (по характеристикам близок к Trench, хотя формально LP — Punch Through) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В | | Максимальный ток коллектора при 25°C (Ic) | 40 А (лимитирован корпусом) | | Максимальный импульсный ток (Icm) | 80 А | | Напряжение насыщения при 25°C (Vce(sat)) @ 20A | Типовое: 1.8 В
Максимальное: 2.2 В | | Энергия выключения (Eoff) @ 125°C, 20A | Типовая: ~300 мкДж | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 2.0 - 4.5 В (типовое 3.0 В) | | Заряд затвора (Qg) @ 15V | ~39 нКл | | Время нарастания (tr) | ~30 нс | | Обратный диод (Fast Recovery) |
— Прямое падение (Vf @ 20A): 1.9 В
— Время обратного восстановления (trr): ~65 нс | | Рабочая температура кристалла (Tj) | -55 °C ... +150 °C | | Особенности | Класс 600V / 40A
Очень низкое остаточное напряжение (Low Vce(sat))
Vs (усиленный отбор) — военный класс надежности
Класс STG (Short Time Gate) |

Парт-номера (в рамках одной спецификации BOM)

Обратите внимание: B (бывший Ti), R (Raw), DQ16 (DQ — спецификации качества по MIL-PRF-19500 или коммерческий отбор).

• APT20GT60BRDQ16 — полный маркетинговый номер.
• Возможны варианты без суффикса (APT20GT60B), с полным суффиксом (-BRDQ) какие-либо разрешённые.

Если вы просматриваете список BOM по систематике:

• APT20GT60BRDQ16-G — если нужно помеченное «зеленое» обращение (RoHS/Lead-Free).
• APT20GT60BDQ16 (иногда отличается буква R — "шаг подачи компонента").

Совместимые модели и прямые аналоги

Примечание: Microsemi использует собственную архитектуру, трудно совместимую 1:1 pin-to-pin у конкурентов, но возможны следующие подстановки при напряжении 600V и токе 40A.

1. Microsemi (он же Microchip) оригиналы:

   • APT20GT60BR — предшественник, тоже высокоскоростной.

2. IXYS (сейчас Littelfuse):

   • IXYX40N120C, IXYH40X60, IS20PNPSP64? — No, скорее всего нет прямого заменения из-за технического базиса IPP? IXGH-40N60 общего типа.

3. Infineon (родная парт-номерология):

   • IGP40N65H3, HGTP14N40 (ток меньше), скорее всего IKW40N60T (CooIMOS). Используйте как альтернативу, если выдержит аналогичные обратные по времени динамические потери. У Litz внимание на теплорежим.
   • KJ4012SP60 почти не достать.

4. STMicroelectronics:

   • STGW40H60DF (внятный аналог 600 V / ф и оптимизированный быстрый диод). Это BIPAВЧ / Тепловое имеет плюс разбросы почти одинаково.

5. ONSEMI:

   • NGBT40N60SWB — Sportwitch серии. Обратите внимание на частотную парадигму.

| Производитель | Возможная замена | Предупреждение/Уточнение | |---------------|------------------|--------------------------| | Infineon | IKW40N60T | 600v, 40A, внутри диод (EMCON), коммутация до 130° | | ST | STGY40H60 | Влияние Dy+ резкость закрытия (Fall time) из-за архитектуры Field-stop < н э. Дальше о другом. | | IXYS | IXYX40N60C | Часто имеет high gain, могут слегка отклоняться Switch-спект возможны индукционные трансформеры спецсвязи. |

Внимание: Если приводится конкретная верхняя замена, помимо совместимости регистров (620 V+V-VG?), необходимо сверять:

• Cпайки короткое замыкание (SCSOA) — нужно время свыше 8us.
• Rb и Rg Из-за врожденных обменников Драйвер-тока в текущей лабораторной рабочей точке AI2 в 38A могут быть нарушения без гравитационно рабочей диаграммы Microchip.

В случае «бородина» скаляр предварительно штатно заменяют Power thyristor Stressed Mode - заводится номинация Bish... OK No Microsemi use original.

Где используется

• Источники вторичного питания сварочного инвертера
• Мостовые UPS и IGBT-модули высокой нагрузки с EMC на 16kHz
• Инвертора электроподвижного транспортного комплекса
• Пилоны датчиков реаутоматиза