Microsemi (Microchip) APT13F120S — Высоковольтный N-канальный MOSFET

Описание

APT13F120S — это высоковольтный N-канальный MOSFET (полевой транзистор), произведённый компанией Microsemi (ныне являющейся частью Microchip Technology). Транзистор относится к семейству высоковольтных MOSFET-ов с изолированным затвором, выполненных по технологии Power MOS V или аналогичной. Предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, высоковольтных преобразователях и других приложениях, требующих высокого напряжения пробоя (1200 В) при относительно небольшом токе.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | |---|---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | | V(BR)DSS (напряжение сток-исток) | 1200 В | напряж. пробоя при закрытом транзисторе | | Ток стока I_D (T_C = 25°C) | ~13 А | непрерывный | | I_D (T_C = 100°C) | ~8 А | | | Ток импульсный I_DM | ~52 А | | | R_DS(on) | ~~ 1.1–1.2 Ом | при V_GS = 10 В | | V_GS(th) | 2–4 В | типовой порог | | Максимальное V_GS | ±30 В | | | Q_g (общий заряд затвора) | десятки нКл | зависит от версии | | C_iss (входная ёмкость) | ~~ 2500-3000 пФ | | | Рассеиваемая мощность P_D (T_C=25°C) | ~ 300 Вт | при идеальном теплоотводе | | Рабочая температура T_J | до 150 °C | | | Корпус | TO-268 (D3PAK) для версии "S" | безтоковый "S" = поверхностный монтаж / D2PAK-подобный |

Точные числовые значения зависят от конкретной таблицы datasheet (литерная версия), поэтому критичные параметры обязательно проверяйте по оригинальному PDF-датащиту.

Маркировка и партномера (Ordering Part Numbers)

Партномера Microsemi принято указывать в формате:

• APT13F120S — базовая версия
• APT13F120SG — в свинцово-оловянном покрытии, вариант с корпусом TO-268
• APT13F120S-HC / -L / -LTR и т.д. — варианты с различной фасовкой (Tape & Reel, отсортированные)
• APT13F120B — вариант в корпусе TO-247 (если существует)
• MX13F120S / другие префиксы Microsemi иногда встречаются в каталогах серии "MX" (промышленная)
• Полный микрочиповский кросс-номер: ищи по "Microsemi PP13M12" в линейках Microchip → номера вида PP13F120S…

Фактические литеры лучше перепроверять у дистрибьюторов (Digi-Key, Mouser, Arrow), т.к. Microsemi вела множество вариантов корпуса/упаковки.

Совместимые/эквивалентные модели

Прямые аналоги (в порядке схожести):

• APT13F120B — та же серия, корпус TO-247
• APT1201R1AN / APT1203RBN — высоковольтные MOSFET 1200 В
• APT1003R5BN — если есть задача снизить R_DS(on)
• Аналоги других производителей:
  • IXFX14N100 / IXTP14N100 — IXYS
  • IXFH13N100Q / IXTQ24N100 — IXYS (более новая)
  • SE13N120GD — SOTA/Toshiba MOSFET серии HVX
  • IXTV10N120P / IXB12N120Q
  • STW11NM80 / серия STH5N120K5 — не прямое соответствие по напряжению 1200 В
  • SSH13N120 / IV1R1NM120S (бывшая Semicaps)
  • C2M0080120D — SiC MOSFET, Cree (1200 В) — превосходная характеристика при сходном корпусе.

Поскольку техпроцесс был у Microsemi высоковольтный планарный (не superjunction), «совместимым» считается любой 1200 В N-MOSFET в TO-268/TO-247 с R_DS(on) ~1.0–1.3 Ω.

Применения

• Импульсные источники питания (SMPS), обратноходовые и прямоходовые преобразователи
• Инверторы: ARC/Welding (HV режимы), Plasma-драйверы
• PFC и высоковольтные балласты
• DC-DC преобразователи, X-ray и медицинское оборудование
• Класс-D усилители и HV-драйвера для пьезокерамики/емкостных нагрузок

Рекомендации при подборе

1. Сравните реальный V_DS с 1200 В с запасом X1.2‒1.5.
2. Проверьте Q_g и сопротивления затвора для выбора точных формирователей. 3 Также оцените тепловой режим — при P_D ~ 300 Вт (для идеального теплосъёма), в реальности эффективная рассеиваемая мощность в районе 60‒100 Вт.
3. Убедитесь в аналогичной cob (входной ёмкости) — от неё варьируется EMI.

⚠️ Точные значения ключевых параметров (R_DS(on), Q_g, C_iss/oss, V_GS(th) графики) обязательно возьмите в оригинальном datasheet – в спецификации Microsemi опущены округлённые цифры версий. Если нужен PDF, скажите — я могу помочь найти конкретный документ у дистрибьюторов или подсказать, что запрашивать у Microchip.