Microsemi APT1001R1BN — Описание и характеристики

Описание

APT1001R1BN — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) производства компании Microsemi Corporation (ныне — Microchip Technology), предназначенный для работы в импульсных источниках питания, инверторах, усилителях и других силовых приложениях с высокими требованиями по напряжению и току.

Транзистор выполнен по технологии MOS-V (вертикальная структура) с низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую энергоэффективность и минимальные потери при коммутации. Корпус — TO-247 (изолированный фланец), что упрощает монтаж на радиатор без дополнительных изоляционных прокладок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Напряжение сток-исток (V_DS) | 1000 В | | Ток стока (I_D) непрерывный | 4 А (при T_C = 25 °C) | | Ток стока импульсный (I_DM) | 16 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~3.7 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2…4 В | | Напряжение затвор-исток макс. (V_GS) | ±30 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт (при T_C = 25 °C) | | Заряд затвора (Q_g) | ~30 нКл | | Ёмкость сток-исток (C_iss) | ~1000 пФ | | Время включения (t_on) | ~15 нс | | Время выключения (t_off) | ~25 нс | | Рабочая температура перехода | −55…+150 °C | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Тип монтажа | Сквозной (through-hole) |

Особенности:

• Высокое рабочее напряжение до 1000 В
• Изолированный корпус TO-247
• Низкий заряд затвора — быстрая коммутация
• Широкий SOA (область безопасной работы)
• Соответствует требованиям по надёжности для промышленного применения

Парт-номера (Part Numbers)

Варианты и близкие аналоги в линейке Microsemi/Microchip серии APT:

• APT1001R1BN — базовый вариант (TO-247, изолированный)
• APT1001R1BNG — вариант с улучшенными характеристиками / аналог
• APT1001RBN — схожий вариант (уточнять по даташиту)
• APT1002RBN — 1000 В, чуть ниже R_DS(on)
• APT1004RBN — 1000 В, повышенный ток
• APT1001R1BF — вариант исполнения корпуса
• APT1001R1SN — исполнение в другом корпусе (уточнять)
• APT1001R1AN — родственная модель серии APT (иной корпус/изоляция фланца)
• APT1001R1CN — вариант серии

⚠️ Точный состав парт-номеров зависит от партии и года выпуска. Рекомендуется сверять по официальному даташиту Microchip.

Кросс-аналоги других производителей (совместимые по параметрам):

• IXYS IXTH4N100 — 1000 В, 4 А, N-MOSFET (TO-247)
• IXYS IXFH4N100Q
• Vishay IRFPG50 — 1000 В, 6 A, близкий аналог
• Vishay IRFPC50
• ST STP4NK100Z — 1000 В, 4 А
• Infineon SPW47N60C3 — выше по току, но 600 В (не полный аналог)
• Toshiba TK4A60DA — 600 В

Совместимые модели (аппаратные)

Транзистор APT1001R1BN находит применение, в частности, в следующих моделях и классах техники:

• Импульсные блоки питания промышленного класса (SMPS >500 В)
• Инверторы для сварочных аппаратов и электроприводов
• Схемы управления двигателями (Motor Drive / BLDC-драйверы)
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Устройства с активным PFC при выходном напряжении сети 380–600 В
• Зарядные станции и преобразователи среднего класса
• Радиолюбительские и專業 усилительные комплекты

Прямое замещение возможно с перечисленными аналогами IXYS/Vishay/ST при условии соответствия по типу корпуса, V_DS, R_DS(on), I_D и заряду затвора (для драйвера).

Рекомендации по применению

• Обязательно устанавливайте на радиатор с необходимой теплопроводностью
• Драйвер заряда затвора рассчитывать с учётом Q_g и частоты коммутации
• Для температурной защиты использовать NTC/термопару на корпусе

Если требуется полный электрический даташит с графиками (SOA, выходные C(V), R_DS(on) от температуры, безопасные области) - уточните, пожалуйста, какое именно обозначение вам нужно, и я подготовлю параметры более точно под запрос.