Microsemi 1N829A — Прецизионный температурно-компенсированный стабилитрон (ZTС)

Описание

1N829A — это прецизионный температурно-компенсированный кремниевый стабилитрон (Voltage Reference Diode) от компании Microsemi (ныне входит в Microchip Technology). Прибор предназначен для использования в качестве источника опорного напряжения высокой точности в измерительной, военной, аэрокосмической и промышленной аппаратуре.

Ключевая особенность серии 1N82x — встроенная температурная компенсация, достигаемая за счёт последовательного включения стабилитрона и прямосмещённого p-n перехода (диода) в одном корпусе. Это обеспечивает крайне низкий температурный коэффициент напряжения (ТКН, TC) в узком диапазоне рабочих токов.

Прибор выпускается в металло-стеклянном корпусе DO-35 (аксиальный, герметичный).

Технические характеристики (1N829A)

| Параметр | Значение | |---|---| | Напряжение стабилизации (Vz) @ Izt | 6.2 В | | Допуск по напряжению | ±5 % (для суффикса «A») | | Тестовый ток (Izt) | 7.5 мА | | Диапазон рабочих токов | 0.5 … 15 мА (тип.) | | Температурный коэффициент (TC) | ±5 ppm/°C (тип. в диапазоне 0…75 °C) | | Динамическое сопротивление (Zzt) @ Izt | ≤ 15 Ом | | Максимальная рассеиваемая мощность | 500 мВт @ T_A = 25 °C | | Диапазон рабочих температур | −55 … +175 °C | | Корпус | DO-35 (glass, axial) | | Тип упаковки | Bulk / Tape & Reel | | Соответствие | MIL-PRF-19500 (эквивалент 1N829A-1, JAN/JANTX/JANTXV) |

Примечания:

• Значение TC нормируется в узком диапазоне токов (обычно порядка 7.5 мА ±10%), где компенсация наиболее эффективна.
• При отклонении от тестового тока ТКН деградирует — это важно учитывать при проектировании.
• Суффикс «A» — допуск ±5 %; без суффикса — ±10 % (для 1N829 номинал 6.2 В, ±5 %/±10 % в зависимости от версии).
• Версии с индексом «-1» (например, 1N829A-1) — это изделия, аттестованные по MIL-PRF-19500, что гарантирует соответствие военным требованиям.

Парт-номера (Part Numbers)

Базовые (коммерческие)

• 1N829A — базовый прибор, DO-35, ±5 %
• 1N829A-TR — Tape & Reel
• 1N829A/TR — альтернативное обозначение ленты
• 1N829AE3 — эквивалент в упаковке Microchip
• 1N829AUR — версия «U» (керамический корпус, если применимо к серии — зависит от линейки)

Военные / MIL-центрированные (Microsemi / Microchip)

| Парт-номер | Описание | |---|---| | JAN1N829A-1 | Аттестация JAN, MIL-PRF-19500 | | JANTX1N829A-1 | Скрининг JANTX | | JANTXV1N829A-1 | Скрининг JANTXV (наиболее жёсткий) | | JANS1N829A-1 | Космический уровень JANS | | 1N829A-1 | Внутренняя маркировка MIL-серии (surface mount / axial) |

Важно: у Microsemi старая и новая номенклатура (после перехода к Microchip) может различаться форматом суффиксов. Для точного заказа сверяйтесь с актуальным даташитом на сайте Microchip.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги той же серии (температурно-компенсированные, 6.2 В)

• 1N829 (без «А») — допуск ±10 %
• 1N821AA … 1N829A-1 — текущая серия ZTC-диодов
• 1N821 (6.2 В), 1N823 (6.2 В), 1N825 (6.2 В), 1N827 (6.2 В), 1N829 (6.2 В) — вся линейка отличается допуском и ТКН

Функциональные зарубежные аналоги

| Производитель | Модель | Комментарий | |---|---|---| | Siliconix / Vishay | 1N829A | прямая функциональная замена | | Hitachi / Renesas | 1N829A | исторически совместим по параметрам | | Motorola / ON Semi | 1N829A | аналогичная версия | | Linear Technology / Analog Devices | LTZ1000 (другая схема) | если требуются сверхнизкие ppm | | Analog Devices | AD586, ADR02 | ИС—опорники как лучшая замена в переходах на IC | | Texas Instruments | LM399 | активный стабилитрон, TC ~0.5–2 ppm/°C |

Приборы до ЗTС-перечёта в российской номенклатуре

• КС162А, КС168А — частично совпадают по напряжению, но не по ТКН
• 2С162А, 2С196А — аналоги (в то же время по характеристикам серия 1N829 значительно точнее)

Области применения

• Опорное напряжение в АЦП/ЦАП высокой разрядности
• Прецизионные источники тока
• Калибровочное оборудование, метрология
• Военная и аэрокосмическая электроника (формат -1, JAN/JANTX/JANTXV/JANS)
• Измерительные усилители и мостовые схемы

Рекомендации по использованию

1. Поддерживайте Izt = 7.5 мА с точностью ±10%, чтобы использовать узкую «нулевую точку» компенсации по ТКН.
2. Питание через резистор или источник тока — управляйте током, а не развивайте амплитуду на стабилитроне в широком диапазоне.
3. Размещайте термостатически с измеряемым узлом, так как достичь параметра ниже ~2–5 ppm/°C можно только с внешней коррекцией/термостатированием.
4. Учитывайте собственную деградацию после монтирования — первоначальный дрейф шунтируется прогрессом времени.

Ссылки

• Microchip Technology (наследник Microsemi): 1N821 – 1N829A Zener Reference Diodes, datasheet.
• MIL-PRF-19500 квалификационные требования.
• Оригинал: маркировка «MS»/«Microsemi» или «Microchip», корпус DO-35.

Если нужно — могу дополнительно свести таблицу сравнения 1N829 vs LTZ1000 vs LM399 или привести схему включения (BZX…, TO-92-замена, ZTС-режим ниже 820 ppm?).