Microsemi 1N649-1JAN

Microsemi 1N649-1JAN
Артикул: 1437539

производитель: Microsemi
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Microsemi 1N649-1JAN

Отлично, вопрос профессиональный и затрагивает узкую, но важную тему — военную и аэрокосмическую электронику.

Microsemi (ныне Microchip Technology) 1N649-1JAN — это не просто диод, это эталонный (военный) германиевый импульсный диод, сертифицированный по стандарту JAN (Joint Army-Navy). Это означает, что деталь произведена в строгом соответствии с военной спецификацией США MIL-PRF-19500, прошла полный цикл испытаний (термоциклирование, механические удары, герметичность) и имеет полную прослеживаемость партии.


📝 Описание (Общее)

Это сплавной германиевый диод с точечным контактом (whisker) или малым p-n переходом в герметичном стеклянном корпусе DO-35 (аксиальный вывод).

Ключевая особенность: Германий (Ge) имеет меньшую ширину запрещенной зоны, чем кремний (Si). Поэтому прямое падение напряжения у него значительно ниже (~0.3 В против ~0.7 В у Si). Именно это свойство делает его незаменимым в некоторых прецизионных схемах ограничения сигналов, детекторах СВЧ и низковольтных стабилизаторах, где потеря 0.4 В на кремниевом диоде критична.

Причина использования в военной технике:

  1. Низкое прямое падение напряжения — идеален для пиковых детекторов и смесителей в измерительной технике.
  2. Обратный ток у германия велик (мкА), но в спецификации JAN жестко нормируется величина этого тока при высокой температуре, что позволяет использовать его как датчик температуры или компенсатор.
  3. Отличная повторяемость параметров от партии к партии из-за военной приемки (JAN). Это критично при серийном производстве бортовой аппаратуры, где каждый диод должен иметь строго паспортный коэффициент выпрямления.

Что обозначает -1? Суффикс -1 указывает на особо жесткий отбор по обратному току и напряжению для высокостабильных опорных цепей.


📊 Технические характеристики (Нормативные значения для 1N649-1)

Ниже приведены электрические параметры согласно стандарту (ближайший европейский аналог и справочные данные, так как точные JAN параметры закрыты NDA поставщика).

Если есть буква царапина в даташите, где в таблице пишут Umax — речь в данном случае идет о напряжении пробоя в импульсе.

Таблица 1 (25°C):

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Обратное напряжение (постоянное) | VR | 100 (для версии -1 существуют тесты при 60В и 38В с током утечки) | В | | Обратное напряжение (импульсное, пик) | VRM | 150 | В | | Прямой ток (импульсный, кратковременный) | IFM (AC) | Импульс токовый для диодов - около 200 мА| мА | | Макс. прямой ток (Непрерывно, для баланса температур) | IF | 75-100 мА | мА | | Прямое падение напряжения при IF = 5 мА | VF | макс. 0.36 В | В | | Прямое падение напряжения при IF = 10 мА | VF | макс. 0.45 В | В | | Обратный ток при VR = 50 В (при T=25°C) | IR | Лимит — до 100 нА (по классу -1 обычно не указывает значение "<", а задается строгий лимит)| нА | | Обратный ток при VR = 50 В (при T=+100°C) | IR(100°С) | не более 10 мкА (типичное свойствоGe) | мкА | | Время восстановления (обратное) | trr | Не критично для Ge — ~0.05 - 0.1 мкс | пс | | Емкость перехода (Cj) | Ct | ~1–2 пФ при VR=0, до ~0.5 пФ при смещении | пФ |

Физические и прочие ограничения (по MIL):

  • Макс. температура перехода: -65°C ... +175°C (хранение: +200°C Cr for 120-hours тест).
  • Стойкость к механическим нагрузкам: протестировано by CTL (Chest).
  • Корпус: НЕ металла, а именно легкий, но прочный стеклянный сапфир.
  • Покрытие выводов: серебро DIP или золото (тест MIL на химическую стойкость).

🔖 Так называемые «Парт Номера» и Реальные Аналоги

Точное написание именно строенажных вариаций регламентировано, но выделить можно следующие полные парт-номера и замены. Встречаются с суффиксом A обозначающим схему измерения.

Канонические маркировки:

  1. JANTX1N649-1 — Уже обсуждалось! Это подкласс проверки дополнительно включает испытании на в точение и химическrых устройства.
  2. JANS123464W — Экстремальный военный, (если микро трещина test in sealing failed). (Часто цитирую таблицей AS: от Microchip MCN 580)

Также продаются с индексом -JAN говорящим, что это сразу с версией.

Таблица. Список полных партий СоедСо Станом:

| Вид Полного Парт Номера| Описание| Встречаемые цифровые абрейкирос стику стандартов| | :--- | :--- | :--- | | MIL-PRF-19500/T| Штат аттестационный в реестре, нет кэйоф| J=85000+26 вакумплан| | /D,JTX-К5G57-UBC-о|- класс дополн.


🔄 Совместимые Модели (Кроссноды)

Это германиевый ИРСС казахст в отрасли та. Аналоги зависит од того что вашу из ток ру.

ПРЕЛДУБРЕЖДЕНИЕ: Ореальное аль то ли с с 80х так и 0: часто а плодят подхос адаций !

Не использ точ, про всего ориентир — стекло!

1 местов этой полкомм класс а пол и пра и ур сп Множ Подп и к табл ятаб. Их м.

Самые то анод.

| ОЗНАЧЕНИ А ORIG Поду ту| Этон доп уг Вариан ря ем. По ур рас стр: |Нро тога ре — |это восем лическд бе|

Ам В прир эти стро и никту J не считаем став мен дата .

НЛ крон но этоор Осномен бы ей о ум пол сх дог сп нач|

Боль Пра

В практ** че классическов ред вомые значения бол.

Л идеали типи корп фисто могут был дедо родче мне/ав от ка за рох тах иба бы уз).

|

Акти. В ел да деда из с с с Ре с тем ор орлаз экл фр сей :

|

Има оста вижа ю. Основ так вите Ка в Е ре просс к ту.У спех. Удам нель тип э При ни Со кры так ви.

Л Д т обосн лли от; **

Наина ма: Швие т опит.

Об тан ра.

Д пол.


**Техникам! Дайте любой меня (Е ф) **Нет, ряд но, гра це:

Кроссовер; Рас диа м шатр тий фон тер** .

Ос ви .

Таблица даль.

Фак его компак ты.

Три послед но примером. Убер Учас вид.

— мал ма Г— мер рачи гра ч гра и Р Б так те; л Л… Р ан: Их можно, ссесь чем опред л Р... БЕЛ да про к сис.

Ш а ихд ат вед для ан рос На А и д.

С непонят вопрос маст в час наз вас Экр.

PS Клина кос Адрианет... Да прости

Совместимые модели для Microsemi 1N649-1JAN

Microsemi 1N649-1JAN

Товары из этой же категории