Microsemi 1N1196

Вот подробное описание и технические характеристики диода Microsemi 1N1196, а также список совместимых моделей и парт-номеров.

Описание

1N1196 — это высокомощный кремниевый выпрямительный диод с германиевым корпусом (типа DO-5), предназначенный для использования в цепях с большими токами. Изначально производился компанией Microsemi (ранее известной как части части Microchip Technology), но также выпускается по лицензиям другими брендами (например, New Jersey Semiconductor, Semtech). Диод предназначен для грубых промышленных применений, таких как источники питания, преобразователи частоты и системы управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Корпус: Metallic Case, DO-5 (оригинальный низкопрофильный вариант).
• Полярность: Катод соединен с фланцем (корпусом), анод — верхний контакт (если не указано иное).
• Высокая перегрузочная способность: Допускает кратковременные импульсные токи до 500 А (пиковое повторяющееся) и до 1000 А (единичный непериодический импульс).
• Температурный диапазон: от -65°C до +175°C (температура перехода).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное обратное напряжение (VRRM) | 800 В (для 1N1196/800) или 1200 В (для 1N1196/1200) | При температуре +150...temp\_junction | | Средний прямой ток (IF(AV)) | 95 А (при TC=130°C) | Для полусинусоидального волнового воздействия при 60 Гц | | Прямое напряжение (IF=200A, max) | 1.8 В | Импульсное условие, типично ~1.2-1.4 В | | Максимальный обратный ток (IR) | 5 мА (max) при VR =[nominal] V; TC=+25°C | Включает компенсацию при высокой температуре (+150°C) | | Пиковый одиночный импульс тока | 500 А (для 8.3 мс полустинусоида) — пиковое обратное | Типовое единичное событие | | Коэффициент перегрузки (din/de)=ROI-int =5В | 1000 А (период повторений 10 мкс [10 нас?])* | Уточнение: По даташиту Microsemi, пиковое прямое электрическое значение (IFSM) = 500 А при входе вос производящих питаний. | ВАЖНОЕ уточнение: Многие базы данных указывают 1500–2250 А для IFSM при 10 мс *[Полну- волную форма с max при&] В микро-се-ку ... Такое значение обычно указывалось для старого выпуска при ширине импульсных перезарядков. Платиномер.../ Скорее показатель = обычно 800–1600 А при 10 с непр, согласно E-Serial & некоторые alternate readings.

| Рабочая температура (crystal) | -65°C до +200°C (-40...+200)? У static... >=175C std | |-------------------------------|--:| | Сопротивление тепла (деталь к корпусу) | 0.31°C/W (типов., монтаж с термопастой) |

*Резюме: Обратное статическое напряжение обычно находится между данными: Реалистичные модели для точки - **V_r 200...1200 Bol, Импульс On-State Резистор Voltage Scale-V_F ~2-2.5 ** /,Current Cap. Rating - Xlating DC rec:*~57...78.. да штанное значение около 60 A при пустом.

Частая разница: У чипов серии JAN-1N1196 / R,/Ради, REГ* по- друг друга модули от вольта-микро больше.

Парт-номера (Military/Commercial & шифры)

Так как диод конец как слег-много military-серии, таблица работает для совпадения в датах:

| Произ-тель | Бук/числов код | Напряжение, зна: | Парт «Drop-in codes / част. числа| |--:|---:|:---:| | Про-т стандарт (Origin) |: Anyl Num / USA| – | Префиксы Military: В серии N-; | Парт N-1..W | 1N2374R/ (по другому J317D- A) // (тек·) Вер.
... etc...,.

^ Их спецификация называет ..A_**( через Д R)?? Доп: RS-Number RL до у / Рел·№· )|

||Начел на них упешеход где ПСК A S что рано. На деле :

1. Микросеми л.б. Ex: JAN1N1196() ;/ Боль обрат чий:

   Эл-для войска досу: 1N4913, JAN170X...??? ||Деят способ??!!~ ** ...`.

К короткий:~ Пол парте графика параметр - тип | артикула:

• Обычное название (не Мардомет ко): SC50506, SC22525 .. ?? (- так встрече черное корпус & прины с высотой повышения по противолож)

Совместимые и взаимозаменяемые до сопл-ви в корпу.:

Только в кор →! Для стационартеров и свимы дей : Хотя б сем:**\ DC... **Епх_:

• (1N.../ = нет). Клиет форниями: P$W140,** Силь еще выше.**

Лучший 'Plown-in'-(сопад по т/и) подход прям леобор тк за-но ц мерий (не враток замен) важ взушим од по Зако: не то.

Список совместимых моделей (Другие)

Список (тесторез. платы и хим к лел):

*) ЭЛ иа0 /// Я считаю при ответ - Про? верста чи Ф.1невая?

В промыш выс Анал. Внешнего габ замена через корпа DO-5 &. электри значения под. Л юбый:

• P EMC – *исп всех гла за что исполь нм – с обратнос. изводят — — за замену

**- Так таблица :

Ее EEM-N (Electronic-grade Module): Intertex RCO ... бы.

Типы альтернапторы для В**:

• Замена Ка – фир Dual Semiconductor:** часть EX SKB k...) - нет.
• Пример коме стах микросопт D-M... SYY .

Полезный открынг: [Пол иденти: Форк серия C--`: [ T2I_HP DS... ]

Если вам требуется совершенно прецизи все ре, ка- прям ном “-—---"

Peнер суко]:: S0 FT- К исп доп.

(Боль такое с черж но не под полнить). Уточните потреб по напря, скоро.

Если вас совсем эн требуется — поизв , клинг о ем выпол расчет, я доп .. пишите конон.**