Intersil RF1S70N03SM9A
тел. +7(499)347-04-82
Описание Intersil RF1S70N03SM9A
Intersil RF1S70N03SM9A — N-канальный MOSFET
Общее описание
RF1S70N03SM9A — это мощный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) с изолированным затвором, произведённый компанией Intersil (ныне подразделение Renesas). Транзистор предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах коммутации нагрузок и драйверах двигателей. Относится к семейству MegaFET с логическим уровнем управления затвором (Logic Level Gate Drive).
⚠️ Примечание: Intersil был приобретён компанией Renesas в 2017 году. Данная деталь встречается также под брендом Harris Semiconductor (ранний производитель) и Renesas. Часть суффиксов в парт-номере (SM9A) обозначает тип корпуса и упаковку.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) |
| V_DS (напряжение сток-исток макс.) | 30 В |
| V_GS (напряжение затвор-исток макс.) | ±20 В |
| I_D (ток стока, непрерывный) | 70 А (при T_C = 25 °C) |
| I_DM (импульсный ток) | ~280 А |
| R_DS(on) | 0,0065 Ом (тип.) при V_GS = 10 В, I_D = 35 А
0,010 Ом (макс.) |
| R_DS(on) при V_GS = 5 В | ~0,011 Ом (логический уровень) |
| Пороговое напряжение V_GS(th) | 1,0…2,0 В |
| Крутизна g_fs | ~60 См |
| Заряд затвора Q_g | ~90 нКл |
| C_iss (входная ёмкость) | ~3000 пФ |
| C_oss (выходная ёмкость) | ~1100 пФ |
| C_rss (проходная ёмкость) | ~300 пФ |
| Время включения t_on | ~50 нс |
| Время выключения t_off | ~90 нс |
| Рассеиваемая мощность P_D | 150 Вт (при T_C = 25 °C) |
| Рабочая температура перехода | −55…+175 °C |
| Тип корпуса | TO-220AB (изолированный вариант с индексом S) |
| Технология | MegaFET, планарная |
Парт-номера (аналогичные обозначения)
Варианты маркировки и заказа в зависимости от корпуса и упаковки:
- RF1S70N03 — базовое обозначение
- RF1S70N03SM9A — в корпусе TO-220 (изолированный фланец), ленточная упаковка (tape & reel)
- RF1S70N03SM — версия в TO-220 изолированном
- IRFZ44N, IRLZ44N — близкие по параметрам (но это не прямые аналоги)
- HUFA76407 — аналог Renesas/Intersil с близкими параметрами
- RF1S70N03 может обозначаться как RF1S70N03SM9A в полной форме заказа Renesas
Формат парт-номера:
RF 1 S 70 N03 S M9A
│ │ │ │ │ │ └── опции упаковки/испытаний
│ │ │ │ │ └──── тип корпуса (S = изолированный TO-220)
│ │ │ │ └──────── V_DS = 30 В, N-канал
│ │ │ └─────────── I_D ≈ 70 А
│ │ └───────────── логический уровень управления
│ └─────────────── серия RF
└────────────────── MegaFET, диэлектрическая изоляция
Совместимые аналоги и замены
Транзисторы со схожими характеристиками (30 В, ~70 А, низкое R_DS(on), TO-220), которые часто используются как замена:
| Модель | Производитель | Особенности | |---|---|---| | IRLZ44N | Infineon / IR | 55 В, 47 А, логический уровень | | IRFZ44N | Infineon / IR | 55 В, 49 А, стандартный уровень | | STP75NF3LL | STMicroelectronics | 30 В, 75 А, логический уровень | | FQP70N03L | ON / Fairchild | 30 В, 70 А, логический уровень | | PHP70N03LT | NXP | 30 В, 70 А, логический уровень | | FDP7030L | Fairchild | 30 В, 75 А | | NTP75N03LG | ON Semiconductor | 30 В, 75 А | | PSMN070-200B | Nexperia | ближайший современный аналог | | IXTP70N075T | IXYS | схожие характеристики |
Совместимое применение (модели техники/плат)
RF1S70N03SM9A встречается в:
- материнских платах ПК и серверных блоках питания;
- импульсных блоках питания ATX;
- инверторах и преобразователях DC-AC;
- драйверах шаговых двигателей;
- контроллерах управления батареями (BMS);
- в старых серверных платформах Intel/AMD (цепи VRM);
- автомобильной электронике (12 В системы).
Конкретные модели устройств обычно указываются как «совместимые с MOSFET N-ch 30V 70A TO-220» — прямого списка «устройство-транзистор» не существует, поскольку это дискретный компонент, устанавливаемый во множество различных устройств.
Рекомендации по замене
- При замене обязательно проверяйте: V_DS ≥ 30 В, I_D ≥ 70 А, R_DS(on) ≤ 0,010 Ом, совместимость с логическим уровнем (V_GS(th) ≤ 2 В).
- Для приложений с высокочастотной коммутацией обращайте внимание на Q_g и ёмкости — более высокие значения увеличивают потери.
- При работе с большими токами используйте теплоотвод — корпус TO-220 допускает P_D = 150 Вт только при идеальном охлаждении.
💡 Если нужен точный Datasheet — ищите документ Intersil RF1S70N03, RF1S70N03SM Datasheet (FN4752 или аналогичный номер) в архивах Renesas.
Хотите, чтобы я подобрал конкретную замену под вашу задачу (напряжение, ток, частота, уровень управления затвором)?