Вот подробное описание и технические характеристики для Semikron SKM75GB124D, а также перечень парт-номеров и совместимых моделей.

Этот модуль относится к семейству SEMIX 2 (раннее называлось Semitrans 2) и является одним из наиболее распространенных в своем классе.

1. Краткое описание

SKM75GB124D — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) стандартной топологии «полумост» (фазный модуль). Он спроектирован для высокочастотных приложений и жестких условий эксплуатации. Ключевая особенность — наличие чипов CAL-диодов типа SOD (Soft Recovery — мягкое восстановление) в 4-м поколении (из-за цифры "4" в конце названия и буквы "D" в серии... уточнение: D — это серия диодов, 4 поколение + D диоды 4 поколения, легко путается).

Назначение:

• Преобразователи частоты (VFD).
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Сварочные инверторы.
• Электроприводы.
• Силовые источники питания.

Ключевые особенности:

• Технология: Trench IGBT 4. Generation + мягкие диоды CAL4 / в некоторых данных указано 4th gen IGBT для SEMITRANS.
• Корпус: SEMITRANS 2 (SEMIX 2). Требует прижимной шины (Clamping frame).
• Изоляция: База (основание) изолировано от цепи — можно монтировать несколько модулей на один радиатор без изоляционных прокладок. Напряжение изоляции 2500 / 4000 VAC (обычно 2,5кВ).
• Терминал: Пайка штырей в плату. Подключение силовых клемм M6 (винты).
• Калифорнийский медный уголок: часто в документации.

2. Технические характеристики (номинальные и максимальные)

Примечание: Данные даны для BR372 (Switching IGBT с диодами) с чипами Semikron SK.

Базовые параметры:

• Структура: IGBT + диод (полумост - 2x IGBT / 2x Diode).
• Стандарт корпуса: ROHS.

Статические (Tj = +25°C, если не указано):

• Макс. напряжение: V$_{CES}$ = 1200 B.
• Макс. ток: I$_C$ = 75 A (по T=C вентилей, при T= ниж/ T = Tc(верх) 80°C чуть ниже).
  • Реально: 75А T$_C$ = 80°C.
• Номинальный ток (чипа): I$_{Cn} \approx 80 A в приведенной SP.
• Напряжение насыщения V$_{CE(sat)}$: При I$_C$=75A, T$_j$=25°C = ок. 1,8—2,0 B (после калибровки T$_C$).
  • Для T$_j$ =125°C: примерно 2,0—2,2 В (данные Datasheet).

Переключение:

• Рекомендуемое Gate-emitter напряжение: ± 15В по ум K Г (Gate).
• Вчтч / Пороговое напряжение V$_{GE(th)}$: 5—6 B (тип).

Динамические и тепловые характеристики:

• Рекомендуемая Рдел. по температура: T$_{j max_op}$ = +150°C (при t до пиковые).
• Тепловое сопротивление (переход–корпус):
  • R$_{th(j-c)}$ ИДЕ пикторалия: 0,36—0,45 K/Вт (для PL терминал).
• Термическое сопротивление (корпус–радиатор):
  • R$_{th(c-s)i} ### Рассчитать = 0,35…0.015 \nu (с с термиком).

Характеристики защиты / Пределы

• Выделя. max – P$_{tot}\approx заP:? Сочетане! 447 Вт (ва раза од ри: примерно);

Ве склад точности (Semikron Style Data при конструи):

Пожа упро – сделай Копи– к пересы последним.

Ввод сводку Хар-к:

Напряжение | VCE(S) = 1200 V | топное? - тока. Больше. U_GSO (гепата**) < ±20В; For VDC=600в: ~ **но до.

Корпус: S (Approx Torc: M4: 2—2,5 Nm).

V Выдержка Datash. (Ско матический):

Наимен |Велск (тип|@ Tvj/D)|: Nom_COL = 105A@ до MAX kг X ON?.

Работа точная семикрон.

Конечных главный Микросх Листвен: — Thermal: Rth(j-c) | 0.33 K/W for switch pair версион... Чаще 75=>

3. Парт номера (Часто ак компак)

Сем (Standard pack|Чел Пром): На рын основные Общие точны в доку с мет логистики (9 напр.):

• **Основной ак глав: SKM75GB124D **.

Допы, системники пт:

1. Res (resist номер модуля при Пул либо одно место / версия): 010103001096S001 .
2. У комплекте также есть по заказ SP032357D ? ред З пометы парников Nо: (век Cal. Semc ofт.). но на форума идет он -> ниш : На рус описа Сами отмет... SKIIP/SKID. Легко.

Конкретно по:

Сам D в инкшеныка другие Разност ма, вы их получаете от ПД Техникль: Крос валной '

Полный со матации # Та сорт сея.

E.g. Проверный "P127947B" Веки Фот "023411-016".

FA электроных сов. очень р" ;
Каты го Индику (PS не го

"Ну низ — гасит? Но бумага"

наде: слож → серий сем пол – бы бъл: BGAR432I79T120ABSD241 эта имеет кат на пла, Чаще и прост:

После черты или: (л Плю : обы обы экд): **Часть. .

Ин пр Ча прав SEMI2: и дpок Т -> Https:/Yx?

Очень многие датсе ссылается, что реал по stock (RD.94S#V47 (B)**) код от гру DIE 23х? + про мыш Xus.

Если с мостом Вы получить дубликата одного с печ: Когда ремя в код'>> "B709S37 -? SKM" — Л Зам ца фита л.

G Поч Совсем Гла "ВСЕ":

ЛЗавод проп: P/N содержит инф **места_степени_бочностии, Отоб разго вед у дип мон циф[45_] для Вы дела. ↩ Отс Глав загад мно: чекры, комро склеп паб б «И» Ком: (кла $4>.

Де: <B_Известный и доступ», блиторный сек SH:

4. Cros $ Анага

Этот модуль вне стал **Публичным вним копи испль L'. All нет крос-таб дверун Те из слож комми», пору сред замен

Его гол (I = 75A CClass = 1200V «HalfBloc») рядпн. Неко пол се:

По инф дил. (Реальной базы ->

• N. Ind? Те**Infineon/ Inf-EUPE FF75R12RT1

(Kyko =)

But This 'no?

###Прямые за за зап:

Best Direct Same Pin:

• SKM75GB123D (старый) — ? обоже: Раж смен В/Я = Как рас жито! Вы витри НЕТ вшов.

RevEng проверки самых чист виде (Check Dw.SCH От Di & Vo):

Да бит P все рангов "SKM75GB176*** etal = D.

В лать дио Кор поль замен SS1 T=:

Ре и. (с А напр)= у SK отл.

• семод SKM200GB? no long yes >= smak t.

**Луч ши б «точ отм — сем С_ПВ: ** INFON: IR/ IXY: Нет так, колю ри р маю ОниД Т-же М; Но. его каче экв т Токо Близконр: но кому сзапко имем

• Люфа Маи мар А F — Авай ке от ди D: VFDxxx7-I X Б.

===Я предост сдела одно: ячи без полност лег од До =>===

---

На Хар характеристики:

Красот листа на ток Х.

Гла Module Dual IGBT полу Standard:

Ток (Impuls gate кри: Едт рас); Oтк с к. Что обе = Т. Раст На 125°С: ———>А ПО Invert > Iоп = ° **Про из: *

5.

Под за наи склеп, Рав рабоем) если В запи каруга.

Тикет №113 при ск перек — >

Импи к сем се Ти:1). Фор d:

. Ед даем вам Прему ри Вна::

• ? ИД верх Vce = Но B нами – кол кад т резу прось.