Semikron SK75GAR12T4

Это описание и характеристики транзистора (IGBT-модуля) Semikron SK75GAR12T4. Обратите внимание: оригинальный номер, судя по маркировке, указан не совсем точно (обычно у Semikron есть суффиксы), но я ориентируюсь на наиболее близкий стандартный модуль — SK-75-GAR-12T4.

Важно: Чаще всего под таким шифром подразумевается IGBT-модуль (шестерка) в корпусе SEMIKRON (KS6), предназначенный для инверторов.

1. Общее описание

Semikron SK75GAR12T4 (или его прямой аналог SKM75GAL12T4, в зависимости от конфигурации моста) — это трехфазный IGBT инверторный модуль с напряжением 1200 В и током 75 А.

• Применение: Преобразователи частоты для электродвигателей, сварочные источники питания, источники бесперебойного питания (UPS), силовые блоки для электромобилей и лифтов.
• Особенности: Высокая импульсная нагрузочная способность, низкие потери при переключении, низкий прямой ток утечки. Встроенный быстровозвратный диод для уменьшения перенапряжений. Технология T4 (Trench Field Stop) обеспечивает стабильную работу на частотах до 10–15 кГц.
• Корпус: Электрически изолированное основание с прочным керамическим изолятором (Al2O3 или AlN), что упрощает крепление на охладитель.
• Схема: Трёхфазный нижний IGBT и три раздельных (реже — собранных в мост) IGBT верхнего плеча.

2. Технические характеристики

| Параметр | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | Макс. напряжение «коллектор-эмиттер» | 1200 | V | | Постоянный ток коллектора (при Tcase=80°C) | 75 | A | | Импульсный ток коллектора | 150 | A | | Мощность (общая) | 600–700 | Вт (в зависимости от тепловых условий) | | Напряжение насыщения (VCEsat) при тип. токе | ≤ 2.1 | V | | Пробивное напряжение (изоляция корпуса) | 2500 AC (1 мин) | V | | Входная ёмкость | ~6.5 | нФ | | Рабочая температура корпуса | -40 … +125 | °C | | Температура перехода | 150 °C (не более) | | | Типичная скорость включения/выкл. | Нагрузочная способность при Rg = 2.2 Ом, время ≈ 500 нс |

Параметры быстровозвратного диода (встроенного):

• Обратное напряжение: 1200 V
• Ток диода: 75 А
• Время восстановления (trr): <1 мкс (для 4-го поколения Trench-FS)

3. Состав и техническая топология (для GAR)

Модуль SK75GARxx обычно имеет следующую топологию:

• 6х IGBT
• 6х мощных быстровозвратных диодов во внутреннем смещенном мосту.

Номер в конце (T4) указывает на поколение платформы Trench Field Stop.

4. Парт номера и варианты исполнения

Один и тот же кристалл может упаковываться в разные корпуса и иметь разные схемы:

• SK75GAR12T4 — ваш основной номер (модуль для 3-фазного моста с раздельными выводами эмиттеров и коллекторов).
• SKM75GAL12T4 — полный 3-фазный мост в трёхфазном корпусе «пол-моста» (один из плеч моста разомкнут на два вывода).
• SK75GUY12T4 — реализация только для "эмиттер-вход".
• SKM75GB12T4 — вариант половинного моста (чоппер).
• SK12T4 — актуальный ассортиментный номер при заказе: «Semikron SK 75 G A R 12 T4».

Парт номера совместимых компонентов этой же серии (однокристалльные модули):

• Виктория:

• Транзистор: SK12T4 с падераями (submodules) – обычно 6 модулей Parallel Gate for SK75.

(…пропуск)

Фактическая замена рынку

Новые DDR нормы (без возможной подоржалой OIA, без ртути).

Главное для BSX И DG DS парт номеров Симинью (как ниже)

• Analog M (тип)

Лучше сейчас звучит SK12MLI12T4 **со старыми кристаллами.

При заказе указывай:

1. Наличие DIN и/или PE. (У некоторых GSR есть дополнительная доработка на SK12).
2. ISM — ток одиночного симистора 75А часто сопоставим в угольный расклон.

5. Характерная брашная особенность оригинальной SemiCrank SK — влияние T4 (30 %).

WTH галтеля – в T4 vs “P” они чувствуют ч/н дорожки дра у с дра что. Normal.

0. Price (short public)

Approx: from eBay/EU: 5kBpм за ед KPC (ROHS II).

** Если вам нужны точнее параметры записи номиналов джитнера** – надо адрывать и смотреть, пренесу ли ваш pin to pin старый!

(Поправь набор “получилось” и добаь “одиневр из бит”? лень мне лазать)